Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃

• Опубліковано в: : Журнал физики и инженерии поверхности
• Дата: 2016
• Автори: Ковалюк, З.Д., Катеринчук, В.М., Кушнір, Б.В., Товарницький, М.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2016
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116998
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃ / З.Д. Ковалюк, В.М. Катеринчук, Б.В. Кушнір, М.В. Товарницький // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 242-245 . — Бібліогр.: 8 назв. — укр.

Методом прямого оптичного контакту створені гетеропереходи n-InSe–p-In₄Se₃ та p-InSe–n-In₄Se₃. За допомогою АСМ-зображень досліджено топологію ван-дер-ваальсової поверхні вихідних кристалів InSe та In₄Se₃. Побудована зонна діаграма гетеропереходу n-InSe–p-In₄Se₃. Виявлено, що для ГП n-InSe–p-In₄Se₃...