Влияние атомов щелочных металлов на фотоэлектрические свойства поликристаллических кремниевых солнечных элементов

В работе приведены результаты экспериментального изучения влияния щелочных металлов на фотоэлектрические свойства поликристаллических кремниевых солнечных элементов. Показано, что наличие атомов щелочных металлов на межзеренных границах приводит к росту радиационной стойкости солнечных элементов, об...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2016
Hauptverfasser:	Олимов, Л.О., Абдурахманов, Б.М., Омонобоев, Ф.Л., Юсупов, А.Х., Сохибова, З.М.
Format:	Artikel
Sprache:	Russian
Veröffentlicht:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2016
Schriftenreihe:	Журнал физики и инженерии поверхности
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117002
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Влияние атомов щелочных металлов на фотоэлектрические свойства поликристаллических кремниевых солнечных элементов / Л.О. Олимов, Б.М. Абдурахманов, Ф.Л. Омонобоев, А.Х. Юсупов, З.М. Сохибова // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 263-267 . — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-117002
record_format	dspace
spelling	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-1170022025-02-23T19:23:22Z Влияние атомов щелочных металлов на фотоэлектрические свойства поликристаллических кремниевых солнечных элементов Вплив атомів лужних металів на фотоелектричні властивості полікристалічних кремнієвих сонячних елементів Influence alkali metal atoms on the photoelectric properties of polycrystalline silicon solar cells Олимов, Л.О. Абдурахманов, Б.М. Омонобоев, Ф.Л. Юсупов, А.Х. Сохибова, З.М. В работе приведены результаты экспериментального изучения влияния щелочных металлов на фотоэлектрические свойства поликристаллических кремниевых солнечных элементов. Показано, что наличие атомов щелочных металлов на межзеренных границах приводит к росту радиационной стойкости солнечных элементов, обусловленной повышением плотности примесных состояний на поверхности зерен. У роботі наведені результати експериментального вивчення впливу лужних металів на фотоелектричні властивості полікристалічних кремнієвих сонячних елементів. Показано, що наявність атомів лужних металів на межах між зернами призводить до зростання радіаційної стійкості сонячних елементів, зумовленої підвищенням щільності домішкових станів на поверхні зерен. The paper presents the results of an experimental study of the effect of the alkali metal on the photoelectric properties of polycrystalline silicon solar cells. It is shown that the presence of alkali metal atoms at the grain boundaries leads to an increase in radiation resistance of the solar cell caused by the increased density of the impurity states at the grain surface. 2016 Article Влияние атомов щелочных металлов на фотоэлектрические свойства поликристаллических кремниевых солнечных элементов / Л.О. Олимов, Б.М. Абдурахманов, Ф.Л. Омонобоев, А.Х. Юсупов, З.М. Сохибова // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 263-267 . — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2519-2485 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117002 621.383.51 ru Журнал физики и инженерии поверхности application/pdf Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
description	В работе приведены результаты экспериментального изучения влияния щелочных металлов на фотоэлектрические свойства поликристаллических кремниевых солнечных элементов. Показано, что наличие атомов щелочных металлов на межзеренных границах приводит к росту радиационной стойкости солнечных элементов, обусловленной повышением плотности примесных состояний на поверхности зерен.
format	Article
author	Олимов, Л.О. Абдурахманов, Б.М. Омонобоев, Ф.Л. Юсупов, А.Х. Сохибова, З.М.
spellingShingle	Олимов, Л.О. Абдурахманов, Б.М. Омонобоев, Ф.Л. Юсупов, А.Х. Сохибова, З.М. Влияние атомов щелочных металлов на фотоэлектрические свойства поликристаллических кремниевых солнечных элементов Журнал физики и инженерии поверхности
author_facet	Олимов, Л.О. Абдурахманов, Б.М. Омонобоев, Ф.Л. Юсупов, А.Х. Сохибова, З.М.
author_sort	Олимов, Л.О.
title	Влияние атомов щелочных металлов на фотоэлектрические свойства поликристаллических кремниевых солнечных элементов
title_short	Влияние атомов щелочных металлов на фотоэлектрические свойства поликристаллических кремниевых солнечных элементов
title_full	Влияние атомов щелочных металлов на фотоэлектрические свойства поликристаллических кремниевых солнечных элементов
title_fullStr	Влияние атомов щелочных металлов на фотоэлектрические свойства поликристаллических кремниевых солнечных элементов
title_full_unstemmed	Влияние атомов щелочных металлов на фотоэлектрические свойства поликристаллических кремниевых солнечных элементов
title_sort	влияние атомов щелочных металлов на фотоэлектрические свойства поликристаллических кремниевых солнечных элементов
publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate	2016
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117002
citation_txt	Влияние атомов щелочных металлов на фотоэлектрические свойства поликристаллических кремниевых солнечных элементов / Л.О. Олимов, Б.М. Абдурахманов, Ф.Л. Омонобоев, А.Х. Юсупов, З.М. Сохибова // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 263-267 . — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
series	Журнал физики и инженерии поверхности
work_keys_str_mv	AT olimovlo vliânieatomovŝeločnyhmetallovnafotoélektričeskiesvojstvapolikristalličeskihkremnievyhsolnečnyhélementov AT abdurahmanovbm vliânieatomovŝeločnyhmetallovnafotoélektričeskiesvojstvapolikristalličeskihkremnievyhsolnečnyhélementov AT omonoboevfl vliânieatomovŝeločnyhmetallovnafotoélektričeskiesvojstvapolikristalličeskihkremnievyhsolnečnyhélementov AT ûsupovah vliânieatomovŝeločnyhmetallovnafotoélektričeskiesvojstvapolikristalličeskihkremnievyhsolnečnyhélementov AT sohibovazm vliânieatomovŝeločnyhmetallovnafotoélektričeskiesvojstvapolikristalličeskihkremnievyhsolnečnyhélementov AT olimovlo vplivatomívlužnihmetalívnafotoelektričnívlastivostípolíkristalíčnihkremníêvihsonâčnihelementív AT abdurahmanovbm vplivatomívlužnihmetalívnafotoelektričnívlastivostípolíkristalíčnihkremníêvihsonâčnihelementív AT omonoboevfl vplivatomívlužnihmetalívnafotoelektričnívlastivostípolíkristalíčnihkremníêvihsonâčnihelementív AT ûsupovah vplivatomívlužnihmetalívnafotoelektričnívlastivostípolíkristalíčnihkremníêvihsonâčnihelementív AT sohibovazm vplivatomívlužnihmetalívnafotoelektričnívlastivostípolíkristalíčnihkremníêvihsonâčnihelementív AT olimovlo influencealkalimetalatomsonthephotoelectricpropertiesofpolycrystallinesiliconsolarcells AT abdurahmanovbm influencealkalimetalatomsonthephotoelectricpropertiesofpolycrystallinesiliconsolarcells AT omonoboevfl influencealkalimetalatomsonthephotoelectricpropertiesofpolycrystallinesiliconsolarcells AT ûsupovah influencealkalimetalatomsonthephotoelectricpropertiesofpolycrystallinesiliconsolarcells AT sohibovazm influencealkalimetalatomsonthephotoelectricpropertiesofpolycrystallinesiliconsolarcells
first_indexed	2025-11-24T15:46:44Z
last_indexed	2025-11-24T15:46:44Z
_version_	1849687230081138688
fulltext	Олимов Л. О., Абдурахманов Б. М., Омонобоев Ф. Л., Юсупов А. Х., Сохибова З. М., 2016 © 263 Журнал фізики та інженерії поверхні, 2016, том 1, № 3, сс. 263–267; Журнал физики и инженерии поверхности, 2016, том 1, № 3, сс. 263–267; Journal of Surface Physics and Engineering, 2016, vol. 1, No. 3, pp. 263–267 УДК 621.383.51 ВЛИЯНИЕ АТОМОВ ЩЕЛОЧНЫХ МЕТАЛЛОВ НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ КРЕМНИЕВЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ Л. О. Олимов, Б. М. Абдурахманов, Ф. Л. Омонобоев, А. Х. Юсупов, З. М. Сохибова Андижанский машиностроительный институт, Узбекистан Поступила в редакцию 10.08.2016 В работе приведены результаты экспериментального изучения влияния щелочных металлов на фотоэлектрические свойства поликристаллических кремниевых солнечных элементов. По- казано, что наличие атомов щелочных металлов на межзеренных границах приводит к росту радиационной стойкости солнечных элементов, обусловленной повышением плотности при- месных состояний на поверхности зерен. Ключевые слова: поликристаллический кремний, межзереные границы, солнечные элемен- ты, щелочных металлов, примесный фотовольтаический эффект. ВПЛИВ АТОМІВ ЛУЖНИХ МЕТАЛІВ НА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПОЛІКРИСТАЛІЧНИХ КРЕМНІЄВИХ СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТІВ Л. О. Олімов, Б. М. Абдурахманов, Ф. Л. Омонобоєв, А. Х. Юсупов, З. М. Сохібова У роботі наведені результати експериментального вивчення впливу лужних металів на фотоелектричні властивості полікристалічних кремнієвих сонячних елементів. Показано, що наявність атомів лужних металів на межах між зернами призводить до зростання радіаційної стійкості сонячних елементів, зумовленої підвищенням щільності домішкових станів на поверхні зерен. Ключові слова: полікристалічний кремній, межі між зернами, сонячні елементи, лужні мета- ли, домішковий фотовольтаїчний ефект. INFLUENCE ALKALI METAL ATOMS ON THE PHOTOELECTRIC PROPERTIES OF POLYCRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS L. O. Olimov, B. M. Abdurakhmanov, F. L. Omonoboiev, A. Kh. Iusupov, Z. M. Sokhibova The paper presents the results of an experimental study of the effect of the alkali metal on the photoelectric properties of polycrystalline silicon solar cells. It is shown that the presence of alkali metal atoms at the grain boundaries leads to an increase in radiation resistance of the solar cell caused by the increased density of the impurity states at the grain surface. Keywords: polycrystalline silicon, grain boundaries, solar cells, alkali metal impurity impurity photovoltaic effect. В настоящее время влияние щелочных металлов (ЩМ) на электрические и опти- ческие свойства поликристаллического кремния (ПК) можно считать достаточно хо- рошо изученным как с экспериментальной, так и теоретической точек зрения (см., на- пример, [1–3] и ссылки, приведенные там). Надежно установлено, что пассивация дефек- тов и рекомбинационные центры приводят к улучшению электрических и оптических свойств ПК. Также показано, что введение атомов ЩМ в объем монокристалличес- кого кремния (МК) позволяет существен- но повысить радиационную стойкость солнечных элементов (СЭ). Что же касается влияния атомов ЩМ на фотоэлектрические свойства ПК СЭ, то это до сих пор является нерешенной задачей. Хотя довольно хорошо ВЛИЯНИЕ АТОМОВ ЩЕЛОЧНЫХ МЕТАЛЛОВ НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА... 264 ЖФІП ЖФИП JSPE, 2016, т. 1, № 3, vol. 1, No. 3 изучено влияние ЩМ на электрофизические свойства ПК [1–5]. Актуальной задачей явля- ется изучение влияния ЩМ, дополнительно вводимых в ПК СЭ, на их фотоэлектрические свойства, описанию результатов которого и посвящена данная работа. В качестве исходных образцов выбраны ПК СЭ с p-n переходом, созданным диффу- зией фосфора на глубину ~0,8 мкм с обеспе- чением концентрации примеси на свободной поверхности ≤1019 см–3. Допол нительное легирование СЭ со стороны p-n перехо- да вели ионной имплантацией (ИИ) ЩМ с применением ускорителя без сепарации ионов, на котором ранее проводилась серия экспериментов по исследованию влияния ато- мов ЩМ на процессы переноса заряда в ПК [2, 3]. В ПК внедряли ионы ЩМ с энергией Е = 10–45 кэВ и дозой D = 1011–1013 см–2. Постимплантационная термообработка об- разцов проводилась в вакууме 10–6 Торр, в интервале температур 20–700 °С. Образцы для измерений нарезали из исходного ПК СЭ большой площади после ИИ на тестовые структуры размером 10 × 10 мм, которые до и после различных термообработок подвер- гали комплексу исследований, состоящих из оценок электрофизических параметров четырехзондовым методом и методом Ван- дер-Пау с одновременной оценкой концен- трации основных носителей тока. Также измерялись темновые и световые вольт- амперные и спектральные характеристики. Известно, что после ИИ на облучен- ной поверхности кремния образуются ра диационные дефекты, которые резко ухуд- шают фотоэлектрические параметры СЭ [4]. Наши эксперименты показали, что после ИИ ЩМ и у ПК СЭ значительно уменьшились Iкз и Uхх, а спектральный максимум фотото- ка сместился в коротковолновую область. Например, для Li, Na и Cs указанный сдвиг произошел от λ = 0,87–0,88 мкм до λ = 0,80– 0,85 мкм. Для «залечивания» нарушенного слоя в МК СЭ после ИИ обычно применяет- ся термоотжиг. Мы также проводили термо- отжиг облученных ПК структур. На рис. 1 и 2 приведены результаты измерений Iкз и Uхх ПК СЭ при различных температурах отжи- га. Видно, что при увеличении температуры отжига до 200 °С Iкз увеличивается, а Uхх незначительно уменьшается. Увеличение температуры отжига до 400–500 °С сопро- вождается ростом обоих этих параметров, а спектральный максимум фототока сдви- гается в длинноволновую сторону, при- ближаясь к своему начальному положению λ = 0,87–0,88 мкм. Дальнейшее увеличение температуры отжига ≥500 °С вновь приводит к уменьшению Iкз и Uхх, особенно заметному для ПК СЭ, легированных Сs, а спектральный максимум фототока опять сдвигается в корот- коволновую сторону. Эти результаты можно объяснить следующими специфическими свойствами ИИ p-n структур на основе ПК. Фотоэлектрические параметры поликрис- таллических СЭ в значительной степени оп- ределяются влиянием межзеренных границ 12 8 4 0 0 200 400 600 800 IКЗ/IКЗ0 Т, °С Рис. 1. Влияние температуры отжига на Iкз ПК СЭ, дополнительно легированных ионами ЩМ. Iкз0 — значения Iкз, снятые до отжига непосредственно пос- ле ионной имплантации ЩМ соответственно: — Li (Iкз0 = 3,7 mA), ◊ — Na (Iкз0 = 2,27 mA), ∆ — K (Iкз0 = 2,71 mA) и × — Cs (Iкз0 = 1,8 mA) 4 3 2 1 0 0 200 400 600 800 Т, °С Uxx/Uxx 0 Рис. 2. Влияние температуры отжига на Uхх ПК СЭ, дополнительно легированных ионами ЩМ. Uхх0 — значения Uхх, снятые до отжига непосредственно пос- ле ионной имплантации ЩМ соответственно: — Li (Uхх0 = 419 mV), ◊ — Na (Uхх0 = 374 mV), ∆ — K (Uхх0 = 104,8 mV) и × — Cs (Uхх0 = 92 mV) Л. О. ОЛИМОВ, Б. М. АБДУРАХМАНОВ, Ф. Л. ОМОНОБОЕВ, А. Х. ЮСУПОВ, З. М. СОХИБОВА 265ЖФІП ЖФИП JSPE, 2016, т. 1, № 3, vol. 1, No. 3 МЗГ на перенос носителей заряда. МЗГ, влияя на перенос носителей заряда, тем самым су- щественно влияют на электрофизические свойства: удельное сопротивление, подвиж- ность и концентрацию носителей заряда. Наши результаты показывают, что ИИ приво- дит к росту удельного сопротивления и умень- шению подвижности носителей заряда. При отжиге до 100–200 °С «залечива- ется» нарушенный слой, состоящий из радиационных дефектов, образовавшихся в процессе ИИ ионами ЩМ [3]. В моно- кристаллических структурах это приводит к росту проводимости и подвижности носи- телей заряда [5]. Отжиг ПК структур отлича- ется тем, что при увеличении температуры происходит сегрегация примесей вдоль МЗГ, что очень сильно влияет на удельное сопро- тивление, т. е. приводит к его увеличению [3, 6]. На наш взгляд, в процессах отжига до 100–200 °С происходит, во-первых, «за- лечивание» нарушенного слоя, во-вторых, сегрегация атомов ЩМ по МЗГ и их взаимо- действие с рекомбинационными центрами, что в конечном счете сопровождается ростом удельного сопротивления и уменьшением Uхх, а также сдвигом спектрального максимума фототока к своему начальному положению (λ = 0,87–0,88 мкм), наблюдавшемуся до от- жига. Эти изменения могут быть связаны с из- менением уровней ловушек с Е ≈ 0,15 эВ на Е ≈ 0,17 эВ при 50–70 °С, а при 100– 170 °С появлением ловушек с Е ≈ 0,36 эВ, обусловленных взаимодействием ра- диационных дефектов с атомами Li [3, 7] . Диффузия атомов ЩМ приводит к пассивации рекомбинационных центров МЗГ, что приводит к росту Iкз и Uхх при Т ≈ 400–500 °С. В работе [7] определено, что при Т ≈ 325–350 °С происходит «залечивание» ловушек с уровнем Е ≈ 0,3 эВ, а выше ука- занной — с уровнем Е ≈ 0,36 эВ. В нашей ра- боте определено, что «залечивание» ловушек с Е ≈ 0,3–0,4 эВ в ПК при помощи атомов ЩМ происходит при Т ≈ 400–500 °С. При дальнейшем увеличении температуры часть атомов ЩМ освобождается из ловушек, диффундируя по МЗГ до подложки [2]. Этот процесс приводит к увеличению количества рекомбинационных центров на поверхнос- ти СЭ. По результатам измерения удельно- го сопротивления подложки наблюдался рост этого параметра при термообработке в интервале температур Т ≥ 200 °С. Данные результаты свидетельствуют о том, что изме- нение энергетического уровня ловушек и их количества приводит, во-первых, к сдвигу спектрального максимума фототока в корот- коволновую область, во-вторых, — к умень- шению Iкз и Uхх. В [8] показано, что длительность диффу- зии атомов Li влияет на фотоэлектрические параметры ПК СЭ. В нашей работе опреде- лено, что кардинальное уменьшение Iкз и Uхх наблюдается при времени диффузии ≤30–45 минут, а дальнейшее увеличение вре- мени диффузии на величину указанных пара- метров практически не влияет. В табл. 1 приведены экспериментальные данные о радиационной устойчивости ПК СЭ, подвергнутых легированию ЩМ, к об- лучению быстрыми электронами. Таблица 1 Падение максимальной мощности ПК p-n+ СЭ, дополнительно легированных ЩМ, при различных дозах электронного облучения с Е = 1 МэВ Тип образца Масса атома ЩМ а. е. м. Доза электронного облучения 1014 см–2 1015 см–2 ПК СЭ не легированный – Уменьшается на 30 % Уменьшается на 40 % ПК СЭ (Li) 2 — на 5 % — на 8,5 % ПК СЭ (Na) 23 — на 10 % — на 13 % ПК СЭ (K) 39 — на 16 % — на 14 % ПК СЭ (Cs) 133 — на 21 % — на 20 % ВЛИЯНИЕ АТОМОВ ЩЕЛОЧНЫХ МЕТАЛЛОВ НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА... 266 ЖФІП ЖФИП JSPE, 2016, т. 1, № 3, vol. 1, No. 3 Сравнение падения мощности леги- рованных образцов с нелегированными выявляет следующую картину: при дозе электронного облучения 1014 см–2 радиацион- ная стойкость СЭ, легированного Li, выше нелегированного на 27 % (95,5 и 68,5 % от исходного), Na — на 22 %, К — на 16 % а Сs — на 11 %; при дозе 1015 см–2 разни- ца составит для Li — 34 % , для Na — 30 %, для К — 29 %, а для Сs — 23 %. Для объяснения наблюдаемого повышения радиа- ционной стойкости ПК СЭ дополнительно легированных ЩМ, что наиболее ярко про- является в случае легирования Li, примем следующие соображения. Известно, что после электронного облуче- ния в объеме СЭ образуются радиационные дефекты, что приводит к ухудшению их свойств. Известно также, что ПК, как и поликристаллы вообще, изобилуют раз- нообразными сложными структурами, та- кими как зерна и МЗГ [9]. На наш взгляд, для объяснения радиационной стойкости СЭ, созданных на ПК, нужно обязательно учитывать структурные характеристики об- разцов, а также характерное местонахожде- ние атомов ЩМ в объеме таких СЭ. Так, образовавшиеся в результате элек- тронного удара в объеме зерен ра диационные дефекты, в первую очередь, «залечиваются» атомами ЩМ, находящимися между узлами кристаллической решетки. «Залечивание» радиационных дефектов в области контакта двух зерен, т. е. в облас- ти МЗГ, достигается еще быстрее и легче, чем в объеме зерен, из-за скопления в этих областях атомов ЩМ, возникающих вслед- ствие их сегрегации при кристаллизации ПК [1–4]. Таким образом, использование ЩМ для управления состояниями МЗГ позволяет в некоторой степени управлять и свойствами ПК, а именно, улучшать их фотоэлектрические свойства и повышать радиационную стойкость ПК СЭ. Дополнительное леги- рование ПК СЭ атомами ЩМ увеличивает количество примесных состояний на МЗГ [1], что представляет интерес при создании структур, в которых может быть реализова- но проявление примесных вольтаических эффектов. ЛИТЕРАТУРА 1. Олимов Л. О., Абдурахманов Б. М., Омонбо- ев Ф. Л. Переключение тока и напряжения при нагреве беспереходного поликристал- лического кремния, легированного ще - лочными металлами в области межзеренных границ // Физическая инженерия поверхно- сти. — 2014. — Т. 12, № 1. — С. 4–8. 2. Оlіmov L. О. Adsorption of Alkali Metals and Their Effect on Electronic Properties of Grain Boundaries in Bulk of Polycrystalline Silicon // Semiconductors. — 2010. — Vol. 44, No. 5. — P. 602–604. 3. Оlіmov L. О. Effect of Alkali Metals on the Electronic Properties of Grain Boundaries on a Polycrystalline Silicon Surface // Semi- conductors. — 2012. — Vol. 46, No. 7. — P. 898–900. 4. Olimov L. O. Influence of Alkali Metals on Electrical Resistance of Poly-Si Structures for Solar Cells // Applied Solar Energy. — 2008. — Vol. 44 (2). — 142 p. 5. Олимов Л. О. Автореф. канд. дисс. г. Анди- жан, Андижанский Государственный уни- верситет, 1999. 6. Поликристаллические полупроводники. Фи зические свойства и применения: Пер. С англ. / Под. ред. Харбек Г. — М.: «Мир», 1989. 7. Заставной А. В., Король В. М. Взаимодей- ствие лития с радиационным дефектами в кремнии // ФТП. — 1989. — Т. 23, вып. 2. — С. 369–372, . 8. Захидов Р. А., Койфман А. И., Смоляк А. М. Исследование возможностей повышения устойчивости кремниевых фотопреобразо- вателей // Гелиотехника. — 1994. — № 1. — C. 16–18. 9. Олимов Л. О., Муйдинова М., Омонбо- ев Ф. Л. Электрические свойства межзерен- ных границ в объеме поликристаллического кремния // Физическая инженерия поверх- ности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 212–215. LITERATURA 1. Olimov L. O., Abdurahmanov B. M., Omon- boev F. L. Pereklyuchenie toka i napryazheniya pri nagreve besperehodnogo polikristal liches- kogo kremniya, legirovannogo sche lochnymi metallami v oblasti mezhzerennyh gra nic // Fizicheskaya inzheneriya poverhnosti. — Л. О. ОЛИМОВ, Б. М. АБДУРАХМАНОВ, Ф. Л. ОМОНОБОЕВ, А. Х. ЮСУПОВ, З. М. СОХИБОВА 267ЖФІП ЖФИП JSPE, 2016, т. 1, № 3, vol. 1, No. 3 2014. — Vol. 12, No. 1. — P. 4–8. 2. Olіmov L. O. Adsorption of Alkali Metals and Their Effect on Electronic Properties of Grain Boundaries in Bulk of Polycrystalline Silicon // Semiconductors. — 2010. — Vol. 44, No. 5. — P. 602–604. 3. Olіmov L. O. Effect of Alkali Metals on the Electronic Properties of Grain Boundaries on a Polycrystalline Silicon Surface // Semi- conductors. — 2012. — Vol. 46, No. 7. — P. 898–900. 4. Olimov L. O. Influence of Alkali Metals on Electrical Resistance of Poly-Si Structures for Solar Cells // Applied Solar Energy. — 2008. — Vol. 44 (2). — 142 p. 5. Olimov L. O. Avtoref. kand. diss. g. Andizhan, Andizhanskij Gosudarstvennyj universitet, 1999. 6. Polikristallicheskie poluprovodniki. Fi zi- cheskie svojstva i primeneniya: Per. S angl. / Pod. red. Harbek G. — M.: «Mir», 1989. 7. Zastavnoj A. V., Korol’ V. M. Vzaimodejstvie litiya s radiacionnym defektami v kremnii // FTP. — 1989. — Vol. 23, vyp. 2. — P. 369–372. 8. Zahidov R. A., Kojfman A. I., Smolyak A. M. Issledovanie vozmozhnostej povysheniya ustojchivosti kremnievyh fotopreobrazova- telej // Geliotehnika. — 1994. — No. 1. — P. 16–18. 9. Olimov L. O., Mujdinova M., Omonboev F. L. Elektricheskie svojstva mezhzerennyh granic v obeme polikristallicheskogo kremniya // Fizicheskaya inzheneriya poverhnosti. — 2013. — Vol. 11, No. 2. — P. 212–215.

Влияние атомов щелочных металлов на фотоэлектрические свойства поликристаллических кремниевых солнечных элементов

Institution

Ähnliche Einträge