Резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки, обусловленное переменным электромагнитным полем
Экспериментально показано, что при мощности внешнего микроволнового облучения больше некоторой критической Рс, по аналогии с узким каналом и высокочастотными центрами проскальзывания фазы (ас ЦПФ), в широкой сверхпроводящей пленке возникают высокочастотные линии проскальзывания фазы (ас ЛПФ). При пр...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117137 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки, обусловленное переменным электромагнитным полем / В.М. Дмитриев, И.В. Золочевский // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 5. — С. 475-478 . — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |