Резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки, обусловленное переменным электромагнитным полем

• Published in: Физика низких температур
• Date: 2009
• Main Authors: Дмитриев, В.М., Золочевский, И.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
• Subjects: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117137
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки, обусловленное переменным электромагнитным полем / В.М. Дмитриев, И.В. Золочевский // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 5. — С. 475-478 . — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Экспериментально показано, что при мощности внешнего микроволнового облучения больше некоторой критической Рс, по аналогии с узким каналом и высокочастотными центрами проскальзывания фазы (ас ЦПФ), в широкой сверхпроводящей пленке возникают высокочастотные линии проскальзывания фазы (ас ЛПФ). При пропускании пробного постоянного тока намного меньше критического такое состояние пленки оказывается резистивным, что проявляется в виде линейных начальных участков вольт-амперных характаристик (ВАХ), отражающих падение напряжения на ас ЛПФ. Показано, что при монотонном изменении мощности электромагнитного облучения наклон линейных участков ВАХ изменяется дискретно и кратно сопротивлению одной ас ЛПФ, возникающей при мощности равной Pc. Експериментально показано, що при потужності зовнішнього мікрохвильового опромінення більшій деякої критичної Рс, за аналогією з вузьким каналом і високочастотними центрами проковзування
 фази (ас ЦПФ), у широкій надпровідній плівці виникають високочастотні лінії проковзування фази
 (ас ЛПФ). При пропущенні пробного постійного струму набагато меншого за критичний виявляється,
 що такий стан плівки є резистивним. Це проявляється у вигляді лінійних початкових ділянок вольтамперних характаристик (ВАХ), що відображають падіння напруги на ас ЛПФ. Показано, що при монотонному змінюванні потужності електромагнітного опромінення нахил лінійних ділянок ВАХ
 змінюється дискретно й кратно опору одної ас ЛПФ, що виникає при потужності рівній Pc. It is shown experimentally that for an external
 microwave irradiation power higher than some critical
 Pc a wide superconducting film exhibits
 high-frequency phase-slip lines (ac PSL) by analogy
 with a narrow channel and ac PSC. On passing a
 probe direct current lower than the critical one, the
 film state appears to be resistive, showing itself as
 linear initial portions in the I-V curves that present
 voltage drop across ac PSL. It is found that as the
 electromagnetic irradiation power is changed monotonously,
 the IVC linear portion slopes display
 variations that are discrete and multiple to the resistance
 of a single ac PSL appearing at P = Pc.