Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях

При температуре T=80 мК исследован электронный кристалл с поверхностной плотностью электронов
 ns=6,2*10⁸ см⁻² над поверхностью сверхтекучего жидкого гелия в зависимости от амплитуды
 переменного электрического поля (1–30 мВ/см) в плоскости слоя. Исследована частотная зависимость&...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2008
Hauptverfasser: Сивоконь, В.Е., Наседкин, К.А., Неонета, А.С.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2008
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117387
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Особенности проводимости 2D электронного
 кристалла над жидким гелием в сильных ведущих
 полях / В.Е. Сивоконь, К.А. Наседкин, А.С. Неонета
 // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 8. — С.761–767. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine