Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях

При температуре T=80 мК исследован электронный кристалл с поверхностной плотностью электронов
 ns=6,2*10⁸ см⁻² над поверхностью сверхтекучего жидкого гелия в зависимости от амплитуды
 переменного электрического поля (1–30 мВ/см) в плоскости слоя. Исследована частотная зависимость&...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2008
Автори: Сивоконь, В.Е., Наседкин, К.А., Неонета, А.С.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2008
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117387
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Особенности проводимости 2D электронного
 кристалла над жидким гелием в сильных ведущих
 полях / В.Е. Сивоконь, К.А. Наседкин, А.С. Неонета
 // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 8. — С.761–767. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:При температуре T=80 мК исследован электронный кристалл с поверхностной плотностью электронов
 ns=6,2*10⁸ см⁻² над поверхностью сверхтекучего жидкого гелия в зависимости от амплитуды
 переменного электрического поля (1–30 мВ/см) в плоскости слоя. Исследована частотная зависимость
 отклика экспериментальной ячейки на переменное напряжение при частотах, когда возбуждаются
 связанные электрон-риплонные резонансы (1–20 МГц), а также зависимость проводимости
 электронного слоя от ведущего поля при двух фиксированных частотах 4 и 5 МГц. Обнаружена сложная
 немонотонная зависимость проводимости кристалла от ведущего поля, которая, очевидно, отражает
 динамический фазовый переход в системе. При температурі T=80 мК досліджено електронний кристал з поверхневою густиною електронів
 ns=6,2*10⁸ см⁻² над поверхнею надплинного рідкого гелію в залежності від амплитуди змінного електричного
 поля (1–30 мВ/см) в площині шару. Досліджено частотну залежність відгуку експериментально
 ї комірки на змінну напругу при частотах, коли збуджуються зв’язані електрон-риплонні резонанси
 (1–20 МГц), а також залежність провідності електронного шару від ведучого поля при двох
 фіксованих частотах 4 та 5 МГц. Знайдено складну немонотонну залежність провідності кристалу від
 ведучого поля, яка, очевидно, відзеркалює динамічний фазовий перехід в системі. At temperature T=80K the electron crystal surface
 electron density ns=6,2*10⁸ cm⁻² over superfluid
 liquid helium is studied depending on ac
 electric field (1–30 ìÂ/cm) in the layer plane. The
 response of the experimental cell to ac voltage at
 frequencies (1–20 MHz), where the coupled electron-
 ripplon resonances are excited, is studied. Besides,
 the dependence of electron layer conductivity
 on driving field is measured at two fixed
 frequencies 4 and 5 MHz. It is found that the conductivity
 depends on driving field in complicated
 nonmonotonic way and seems to reflect the dynamic
 phase transition in the system.
ISSN:0132-6414