Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях
При температуре T=80 мК исследован электронный кристалл с поверхностной плотностью электронов ns=6,2*10⁸ см⁻² над поверхностью сверхтекучего жидкого гелия в зависимости от амплитуды переменного электрического поля (1–30 мВ/см) в плоскости слоя. Исследована частотная зависимость отклика эксперимен...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2008 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2008
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117387 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях / В.Е. Сивоконь, К.А. Наседкин, А.С. Неонета // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 8. — С.761–767. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | При температуре T=80 мК исследован электронный кристалл с поверхностной плотностью электронов
ns=6,2*10⁸ см⁻² над поверхностью сверхтекучего жидкого гелия в зависимости от амплитуды
переменного электрического поля (1–30 мВ/см) в плоскости слоя. Исследована частотная зависимость
отклика экспериментальной ячейки на переменное напряжение при частотах, когда возбуждаются
связанные электрон-риплонные резонансы (1–20 МГц), а также зависимость проводимости
электронного слоя от ведущего поля при двух фиксированных частотах 4 и 5 МГц. Обнаружена сложная
немонотонная зависимость проводимости кристалла от ведущего поля, которая, очевидно, отражает
динамический фазовый переход в системе.
При температурі T=80 мК досліджено електронний кристал з поверхневою густиною електронів
ns=6,2*10⁸ см⁻² над поверхнею надплинного рідкого гелію в залежності від амплитуди змінного електричного
поля (1–30 мВ/см) в площині шару. Досліджено частотну залежність відгуку експериментально
ї комірки на змінну напругу при частотах, коли збуджуються зв’язані електрон-риплонні резонанси
(1–20 МГц), а також залежність провідності електронного шару від ведучого поля при двох
фіксованих частотах 4 та 5 МГц. Знайдено складну немонотонну залежність провідності кристалу від
ведучого поля, яка, очевидно, відзеркалює динамічний фазовий перехід в системі.
At temperature T=80K the electron crystal surface
electron density ns=6,2*10⁸ cm⁻² over superfluid
liquid helium is studied depending on ac
electric field (1–30 ìÂ/cm) in the layer plane. The
response of the experimental cell to ac voltage at
frequencies (1–20 MHz), where the coupled electron-
ripplon resonances are excited, is studied. Besides,
the dependence of electron layer conductivity
on driving field is measured at two fixed
frequencies 4 and 5 MHz. It is found that the conductivity
depends on driving field in complicated
nonmonotonic way and seems to reflect the dynamic
phase transition in the system.
|
|---|---|
| ISSN: | 0132-6414 |