Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях
При температуре T=80 мК исследован электронный кристалл с поверхностной плотностью электронов
 ns=6,2*10⁸ см⁻² над поверхностью сверхтекучего жидкого гелия в зависимости от амплитуды
 переменного электрического поля (1–30 мВ/см) в плоскости слоя. Исследована частотная зависимость&...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2008 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117387 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особенности проводимости 2D электронного
 кристалла над жидким гелием в сильных ведущих
 полях / В.Е. Сивоконь, К.А. Наседкин, А.С. Неонета
 // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 8. — С.761–767. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862639871796969472 |
|---|---|
| author | Сивоконь, В.Е. Наседкин, К.А. Неонета, А.С. |
| author_facet | Сивоконь, В.Е. Наседкин, К.А. Неонета, А.С. |
| citation_txt | Особенности проводимости 2D электронного
 кристалла над жидким гелием в сильных ведущих
 полях / В.Е. Сивоконь, К.А. Наседкин, А.С. Неонета
 // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 8. — С.761–767. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | При температуре T=80 мК исследован электронный кристалл с поверхностной плотностью электронов
ns=6,2*10⁸ см⁻² над поверхностью сверхтекучего жидкого гелия в зависимости от амплитуды
переменного электрического поля (1–30 мВ/см) в плоскости слоя. Исследована частотная зависимость
отклика экспериментальной ячейки на переменное напряжение при частотах, когда возбуждаются
связанные электрон-риплонные резонансы (1–20 МГц), а также зависимость проводимости
электронного слоя от ведущего поля при двух фиксированных частотах 4 и 5 МГц. Обнаружена сложная
немонотонная зависимость проводимости кристалла от ведущего поля, которая, очевидно, отражает
динамический фазовый переход в системе.
При температурі T=80 мК досліджено електронний кристал з поверхневою густиною електронів
ns=6,2*10⁸ см⁻² над поверхнею надплинного рідкого гелію в залежності від амплитуди змінного електричного
поля (1–30 мВ/см) в площині шару. Досліджено частотну залежність відгуку експериментально
ї комірки на змінну напругу при частотах, коли збуджуються зв’язані електрон-риплонні резонанси
(1–20 МГц), а також залежність провідності електронного шару від ведучого поля при двох
фіксованих частотах 4 та 5 МГц. Знайдено складну немонотонну залежність провідності кристалу від
ведучого поля, яка, очевидно, відзеркалює динамічний фазовий перехід в системі.
At temperature T=80K the electron crystal surface
electron density ns=6,2*10⁸ cm⁻² over superfluid
liquid helium is studied depending on ac
electric field (1–30 ìÂ/cm) in the layer plane. The
response of the experimental cell to ac voltage at
frequencies (1–20 MHz), where the coupled electron-
ripplon resonances are excited, is studied. Besides,
the dependence of electron layer conductivity
on driving field is measured at two fixed
frequencies 4 and 5 MHz. It is found that the conductivity
depends on driving field in complicated
nonmonotonic way and seems to reflect the dynamic
phase transition in the system.
|
| first_indexed | 2025-12-01T01:52:54Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-117387 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-01T01:52:54Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Сивоконь, В.Е. Наседкин, К.А. Неонета, А.С. 2017-05-23T10:00:05Z 2017-05-23T10:00:05Z 2008 Особенности проводимости 2D электронного
 кристалла над жидким гелием в сильных ведущих
 полях / В.Е. Сивоконь, К.А. Наседкин, А.С. Неонета
 // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 8. — С.761–767. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.20.–r;67.90.+z https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117387 При температуре T=80 мК исследован электронный кристалл с поверхностной плотностью электронов
 ns=6,2*10⁸ см⁻² над поверхностью сверхтекучего жидкого гелия в зависимости от амплитуды
 переменного электрического поля (1–30 мВ/см) в плоскости слоя. Исследована частотная зависимость
 отклика экспериментальной ячейки на переменное напряжение при частотах, когда возбуждаются
 связанные электрон-риплонные резонансы (1–20 МГц), а также зависимость проводимости
 электронного слоя от ведущего поля при двух фиксированных частотах 4 и 5 МГц. Обнаружена сложная
 немонотонная зависимость проводимости кристалла от ведущего поля, которая, очевидно, отражает
 динамический фазовый переход в системе. При температурі T=80 мК досліджено електронний кристал з поверхневою густиною електронів
 ns=6,2*10⁸ см⁻² над поверхнею надплинного рідкого гелію в залежності від амплитуди змінного електричного
 поля (1–30 мВ/см) в площині шару. Досліджено частотну залежність відгуку експериментально
 ї комірки на змінну напругу при частотах, коли збуджуються зв’язані електрон-риплонні резонанси
 (1–20 МГц), а також залежність провідності електронного шару від ведучого поля при двох
 фіксованих частотах 4 та 5 МГц. Знайдено складну немонотонну залежність провідності кристалу від
 ведучого поля, яка, очевидно, відзеркалює динамічний фазовий перехід в системі. At temperature T=80K the electron crystal surface
 electron density ns=6,2*10⁸ cm⁻² over superfluid
 liquid helium is studied depending on ac
 electric field (1–30 ìÂ/cm) in the layer plane. The
 response of the experimental cell to ac voltage at
 frequencies (1–20 MHz), where the coupled electron-
 ripplon resonances are excited, is studied. Besides,
 the dependence of electron layer conductivity
 on driving field is measured at two fixed
 frequencies 4 and 5 MHz. It is found that the conductivity
 depends on driving field in complicated
 nonmonotonic way and seems to reflect the dynamic
 phase transition in the system. Авторы весьма признательны Ю.П. Монарха и
 С.С. Соколову за обсуждение результатов работы и
 сделанные полезные замечания. Работа поддержана
 проектом УНТЦ 3718. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях Conductivity features of 2D electron crystal over liquid helium in high driving fields Article published earlier |
| spellingShingle | Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях Сивоконь, В.Е. Наседкин, К.А. Неонета, А.С. Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы |
| title | Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях |
| title_alt | Conductivity features of 2D electron crystal over liquid helium in high driving fields |
| title_full | Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях |
| title_fullStr | Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях |
| title_full_unstemmed | Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях |
| title_short | Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях |
| title_sort | особенности проводимости 2d электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях |
| topic | Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы |
| topic_facet | Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117387 |
| work_keys_str_mv | AT sivokonʹve osobennostiprovodimosti2délektronnogokristallanadžidkimgeliemvsilʹnyhveduŝihpolâh AT nasedkinka osobennostiprovodimosti2délektronnogokristallanadžidkimgeliemvsilʹnyhveduŝihpolâh AT neonetaas osobennostiprovodimosti2délektronnogokristallanadžidkimgeliemvsilʹnyhveduŝihpolâh AT sivokonʹve conductivityfeaturesof2delectroncrystaloverliquidheliuminhighdrivingfields AT nasedkinka conductivityfeaturesof2delectroncrystaloverliquidheliuminhighdrivingfields AT neonetaas conductivityfeaturesof2delectroncrystaloverliquidheliuminhighdrivingfields |