Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях

Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях

При температуре T=80 мК исследован электронный кристалл с поверхностной плотностью электронов ns=6,2*10⁸ см⁻² над поверхностью сверхтекучего жидкого гелия в зависимости от амплитуды переменного электрического поля (1–30 мВ/см) в плоскости слоя. Исследована частотная зависимость отклика эксперимен...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2008
Автори: Сивоконь, В.Е., Наседкин, К.А., Неонета, А.С.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2008
Теми:
Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117387
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях / В.Е. Сивоконь, К.А. Наседкин, А.С. Неонета // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 8. — С.761–767. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-117387
record_format dspace
spelling Сивоконь, В.Е.
Наседкин, К.А.
Неонета, А.С.
2017-05-23T10:00:05Z
2017-05-23T10:00:05Z
2008
Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях / В.Е. Сивоконь, К.А. Наседкин, А.С. Неонета // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 8. — С.761–767. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 73.20.–r;67.90.+z
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117387
При температуре T=80 мК исследован электронный кристалл с поверхностной плотностью электронов ns=6,2*10⁸ см⁻² над поверхностью сверхтекучего жидкого гелия в зависимости от амплитуды переменного электрического поля (1–30 мВ/см) в плоскости слоя. Исследована частотная зависимость отклика экспериментальной ячейки на переменное напряжение при частотах, когда возбуждаются связанные электрон-риплонные резонансы (1–20 МГц), а также зависимость проводимости электронного слоя от ведущего поля при двух фиксированных частотах 4 и 5 МГц. Обнаружена сложная немонотонная зависимость проводимости кристалла от ведущего поля, которая, очевидно, отражает динамический фазовый переход в системе.
При температурі T=80 мК досліджено електронний кристал з поверхневою густиною електронів ns=6,2*10⁸ см⁻² над поверхнею надплинного рідкого гелію в залежності від амплитуди змінного електричного поля (1–30 мВ/см) в площині шару. Досліджено частотну залежність відгуку експериментально ї комірки на змінну напругу при частотах, коли збуджуються зв’язані електрон-риплонні резонанси (1–20 МГц), а також залежність провідності електронного шару від ведучого поля при двох фіксованих частотах 4 та 5 МГц. Знайдено складну немонотонну залежність провідності кристалу від ведучого поля, яка, очевидно, відзеркалює динамічний фазовий перехід в системі.
At temperature T=80K the electron crystal surface electron density ns=6,2*10⁸ cm⁻² over superfluid liquid helium is studied depending on ac electric field (1–30 ìÂ/cm) in the layer plane. The response of the experimental cell to ac voltage at frequencies (1–20 MHz), where the coupled electron- ripplon resonances are excited, is studied. Besides, the dependence of electron layer conductivity on driving field is measured at two fixed frequencies 4 and 5 MHz. It is found that the conductivity depends on driving field in complicated nonmonotonic way and seems to reflect the dynamic phase transition in the system.
Авторы весьма признательны Ю.П. Монарха и С.С. Соколову за обсуждение результатов работы и сделанные полезные замечания. Работа поддержана проектом УНТЦ 3718.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях
Conductivity features of 2D electron crystal over liquid helium in high driving fields
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях
spellingShingle Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях
Сивоконь, В.Е.
Наседкин, К.А.
Неонета, А.С.
Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
title_short Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях
title_full Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях
title_fullStr Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях
title_full_unstemmed Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях
title_sort особенности проводимости 2d электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях
author Сивоконь, В.Е.
Наседкин, К.А.
Неонета, А.С.
author_facet Сивоконь, В.Е.
Наседкин, К.А.
Неонета, А.С.
topic Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
topic_facet Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
publishDate 2008
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Conductivity features of 2D electron crystal over liquid helium in high driving fields
description При температуре T=80 мК исследован электронный кристалл с поверхностной плотностью электронов ns=6,2*10⁸ см⁻² над поверхностью сверхтекучего жидкого гелия в зависимости от амплитуды переменного электрического поля (1–30 мВ/см) в плоскости слоя. Исследована частотная зависимость отклика экспериментальной ячейки на переменное напряжение при частотах, когда возбуждаются связанные электрон-риплонные резонансы (1–20 МГц), а также зависимость проводимости электронного слоя от ведущего поля при двух фиксированных частотах 4 и 5 МГц. Обнаружена сложная немонотонная зависимость проводимости кристалла от ведущего поля, которая, очевидно, отражает динамический фазовый переход в системе. При температурі T=80 мК досліджено електронний кристал з поверхневою густиною електронів ns=6,2*10⁸ см⁻² над поверхнею надплинного рідкого гелію в залежності від амплитуди змінного електричного поля (1–30 мВ/см) в площині шару. Досліджено частотну залежність відгуку експериментально ї комірки на змінну напругу при частотах, коли збуджуються зв’язані електрон-риплонні резонанси (1–20 МГц), а також залежність провідності електронного шару від ведучого поля при двох фіксованих частотах 4 та 5 МГц. Знайдено складну немонотонну залежність провідності кристалу від ведучого поля, яка, очевидно, відзеркалює динамічний фазовий перехід в системі. At temperature T=80K the electron crystal surface electron density ns=6,2*10⁸ cm⁻² over superfluid liquid helium is studied depending on ac electric field (1–30 ìÂ/cm) in the layer plane. The response of the experimental cell to ac voltage at frequencies (1–20 MHz), where the coupled electron- ripplon resonances are excited, is studied. Besides, the dependence of electron layer conductivity on driving field is measured at two fixed frequencies 4 and 5 MHz. It is found that the conductivity depends on driving field in complicated nonmonotonic way and seems to reflect the dynamic phase transition in the system.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117387
citation_txt Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях / В.Е. Сивоконь, К.А. Наседкин, А.С. Неонета // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 8. — С.761–767. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT sivokonʹve osobennostiprovodimosti2délektronnogokristallanadžidkimgeliemvsilʹnyhveduŝihpolâh
AT nasedkinka osobennostiprovodimosti2délektronnogokristallanadžidkimgeliemvsilʹnyhveduŝihpolâh
AT neonetaas osobennostiprovodimosti2délektronnogokristallanadžidkimgeliemvsilʹnyhveduŝihpolâh
AT sivokonʹve conductivityfeaturesof2delectroncrystaloverliquidheliuminhighdrivingfields
AT nasedkinka conductivityfeaturesof2delectroncrystaloverliquidheliuminhighdrivingfields
AT neonetaas conductivityfeaturesof2delectroncrystaloverliquidheliuminhighdrivingfields
first_indexed 2025-12-01T01:52:54Z
last_indexed 2025-12-01T01:52:54Z
_version_ 1850859038177230848

Схожі ресурси