Belyaev, A., Pilipenko, V., Anischik, V., Petlitskaya, T., Klad’ko, V., Konakova, R., . . . Sheremet, V. (2013). Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Belyaev, A.E, et al. "Role of Dislocations in Formation of Ohmic Contacts to Heavily Doped N-Si." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 2013.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Belyaev, A.E, et al. "Role of Dislocations in Formation of Ohmic Contacts to Heavily Doped N-Si." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2013.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.