Photo-thermo-acoustic analysis of heterogeneous semiconductor structures under pulse laser irradiation
The analysis of photo-thermo-acoustic transformation in materials with the modified properties of a surface layer has been made in this work. Formation of a photoacoustic response in a layered structure of the type “implanted layer + crystalline Si substrate” as a result of its irradiation by one...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117708 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Photo-thermo-acoustic analysis of heterogeneous semiconductor structures under pulse laser irradiation / R. Burbelo, M. Isaiev, A. Kuzmich // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 2. — С. 167-169. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |