X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al₂O₃ (0001) substrates

• Опубліковано в: : Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Дата: 2013
• Автори: Safriuk, N.V., Stanchu, G.V., Kuchuk, A.V., Kladko, V.P., Belyaev, A.E., Machulin, V.F.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117727
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al₂O₃ (0001) substrates / N.V. Safriuk, G.V. Stanchu, A.V. Kuchuk, V.P. Kladko, A.E. Belyaev, V.F. Machulin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2013. — Т. 16, № 3. — С. 265-272. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.

Methodical approaches to the analysis of X-ray data for GaN films grown on
 various buffer layers and different substrates are presented in this work. Justification of
 dislocation structure investigation by various methods was analyzed and approaches for
 evaluation of defor...