Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
Carrier transport mechanisms are investigated in InAs and InSb infrared
 photodiodes. The photodiodes were prepared by thermal diffusion of Cd and ion
 implantation of Be into InAs and InSb single-crystal substrates of n-type conductivity,
 respectively. The direct current wa...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117788 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes / A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin and N.M. Krolevec // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 4. — С. 416-420. — Бібліогр.: 27 назв. — англ. |