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Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes

Carrier transport mechanisms are investigated in InAs and InSb infrared photodiodes. The photodiodes were prepared by thermal diffusion of Cd and ion implantation of Be into InAs and InSb single-crystal substrates of n-type conductivity, respectively. The direct current wa...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2011
Hauptverfasser:	Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Krolevec, N.M.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117788
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes / A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin and N.M. Krolevec // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 4. — С. 416-420. — Бібліогр.: 27 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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