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Transformations of microdefect structure in silicon crystals under the influence of weak magnetic field

Quantitative characterization of complex microdefect structures in annealed silicon crystals (1150 °С, 40 h) and their transformations after exposing for one day in a weak magnetic field (1 T) has been performed by analyzing the rocking curves, which have been measured by...

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Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2011
Hauptverfasser:	Vladimirova, T.P., Kyslovs’kyy, Ye.M., Molodkin, V.B., Olikhovskii, S.I., Koplak, O.V., Kochelab, E.V.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117799
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Transformations of microdefect structure in silicon crystals under the influence of weak magnetic field / T. P. Vladimirova, Ye. M. Kyslovs`kyy, V. B. Molodkin, S. I. Olikhovskii,O. V. Koplak, E. V. Kochelab // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 4. — С. 470-477. — Бібліогр.: 27 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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