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Partial dielectric behavior of the Mo electron spectrum as an effect of Van Hove singularities

The investigation shows that the specific conductivity of Mo sharply decreases exponentially under the temperature influence within the range from ~20 to ~60 K or under the Re impurity influence in the concentration range up to 3  4 at.% and then transforms into the power dependence. Noted th...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2011
1. Verfasser:	Ignatyeva, Т.А.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117801
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Partial dielectric behavior of the Mo electron spectrum as an effect of Van Hove singularities / Т.А. Ignatyeva // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 4. — С. 482-488. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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