Зображення обкладинки

Effect of microwave treatment on the parameters of Au-TiBx-GaAs(SiC 6H) surface-barrier structures

We studied I-V curves of Au-TiBx-n-n⁺-GaAs and Au-TiBx-n-SiC 6Н surface-barrier structures. The structures were exposed to microwave treatments (frequency of 2.45 GHZ, irradiance of 1.5 W/cm², duration of 0-500 s). For these structures we measured how the Schottky barrier height and ideality factor...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2003
Автори:	Abdizhaliev, S.K., Ismailov, K.A., Kamalov, A.B., Kudrik, Ya.Ya.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118018
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Effect of microwave treatment on the parameters of Au-TiBx-GaAs(SiC 6H) surface-barrier structures / S.K. Abdizhaliev, K.A. Ismailov, A.B. Kamalov, Ya.Ya. Kudrik // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 2. — С. 202-204. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

Ordering of lateral nonuniformity of TiBx film and transition layer in the TiBx-GaAs system
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2001)

SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2004)

Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au-Mo-TiBx-GaAs
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (1999)

Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2008)

On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)

Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN
за авторством: Кудрик, Р.Я.
Опубліковано: (2015)

Local plasmons contribution into photocurrent of Au/GaAs surface barrier structure with Au nanoparticles on interface
за авторством: Mamykin, S., та інші
Опубліковано: (2009)

Heat-resistant ohmic and barrier contacts for GaAs-based microwave devices
за авторством: Ivanov, V.N., та інші
Опубліковано: (2003)

Acoustoelectric transient spectroscopy of microwave treated GaAs-based structures
за авторством: Olikh, O.Ya.
Опубліковано: (2003)

TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)

Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2002)

Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au-TiB2-n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2014)

Au/GaAs photovoltaic structures with single-wall carbon nanotubes on the microrelief interface
за авторством: N. L. Dmitruk, та інші
Опубліковано: (2015)

Au/GaAs photovoltaic structures with single-wall carbon nanotubes on the microrelief interface
за авторством: Dmitruk, N.L., та інші
Опубліковано: (2015)

Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)

New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis
за авторством: Arsentyev, I.N., та інші
Опубліковано: (2005)

Research of photo-sensitive 2-barrier pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-structure
за авторством: U. M. Buzrukov
Опубліковано: (2005)

Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2007)

Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
за авторством: Melebayev, D., та інші
Опубліковано: (2007)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
за авторством: Basanets, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)

The effect of the barrier width between coupled double quantum wells of GaAs/InGaAs/GaAs on the bipolar transport and THz emission of the hot carriers in the lateral electric field
за авторством: M. N. Vinoslavskij, та інші
Опубліковано: (2020)

Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: Vlasov, S.I., та інші
Опубліковано: (2010)

Influence of parameters inherent to ohmic contacts on properties of microwave avalanche transit-time diodes
за авторством: Kudryk, Ya.Ya., та інші
Опубліковано: (2019)

Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)

Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)

Квантование магнитного момента в наносандвичах CdBxF₂₋x/p-CdF₂₋QW/CdBxF₂₋x
за авторством: Баграев, Н.Т., та інші
Опубліковано: (2014)

Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes
за авторством: V. V. Basanets, та інші
Опубліковано: (2015)

Physical mechanisms and models of the long-term transformations in radiative recombination observed in n-GaAs under microwave irradiation
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2016)

Physical mechanisms and models of the long-term transformations in radiative recombination observed in n-GaAs under microwave irradiation
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Effect of microwave radiation on optical transmission spectra in SiO₂/SiC structures
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2002)

Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)

Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)

Methods for deter-mination of schottky barrier height from I-V curves (review)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2014)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)