Buchumschlag

Effect of microwave treatment on the parameters of Au-TiBx-GaAs(SiC 6H) surface-barrier structures

We studied I-V curves of Au-TiBx-n-n⁺-GaAs and Au-TiBx-n-SiC 6Н surface-barrier structures. The structures were exposed to microwave treatments (frequency of 2.45 GHZ, irradiance of 1.5 W/cm², duration of 0-500 s). For these structures we measured how the Schottky barrier height and ideality factor...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2003
Hauptverfasser:	Abdizhaliev, S.K., Ismailov, K.A., Kamalov, A.B., Kudrik, Ya.Ya.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118018
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Effect of microwave treatment on the parameters of Au-TiBx-GaAs(SiC 6H) surface-barrier structures / S.K. Abdizhaliev, K.A. Ismailov, A.B. Kamalov, Ya.Ya. Kudrik // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 2. — С. 202-204. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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