Mechanism of photoinduced luminescence degradation in CdSxSe₁₋x quantum dots
A possible mechanism of the photoinduced luminescence degradation in the hexagonal CdSxSe₁₋x quantum dots synthesized in a glass matrix is discussed using luminescence decay kinetic investigations and ab initio calculations of chemical bond energies at the boundary between CdSe cluster and SiOx frag...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118033 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Mechanism of photoinduced luminescence degradation in CdSxSe₁₋x quantum dots / V.P. Kunets, N.R. Kulish, M.P. Lisitsa, V.P. Bryksa // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 3. — С. 299-302. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |