Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла

Экспериментально исследованы продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла (КЭХ) в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Тл и температур T = 0,05–70 К, до и после ИК под...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2013
Hauptverfasser:	Арапов, Ю.Г., Гудина, С.В., Неверов, В.Н., Новокшонов, С.Г., Клепикова, А.С., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Якунин, М.В.
Format:	Artikel
Sprache:	Russian
Veröffentlicht:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2013
Schriftenreihe:	Физика низких температур
Schlagworte:	XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118101
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.Г. Новокшонов, А.С. Клепикова, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 66–75. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-118101
record_format	dspace
fulltext
spelling	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-1181012025-02-09T11:22:16Z Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Неверов, В.Н. Новокшонов, С.Г. Клепикова, А.С. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Якунин, М.В. XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Экспериментально исследованы продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла (КЭХ) в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Тл и температур T = 0,05–70 К, до и после ИК подсветки. Проведен анализ температурной зависимости ширины переходов плато–плато КЭХ и получены сведения о температурной зависимости ширины полосы делокализованных состояний вблизи середины подзон Ландау в режиме КЭХ. Експериментально досліджено подовжнє ρxx(B) та холлівське ρxy(B) магнітоопори в режимі цілочисельного квантового ефекту Холла (КЕХ) в наноструктурах n-InGaAs/GaAs з поодинокою і подвійною квантовими ямами в діапазоні магнітних полів В = 0–16 Tл і температур Т = 0,05–70 К, до і після ІЧ підсвічування. Проведено аналіз температурної залежності ширини переходів плато–плато КЕХ та отримано дані про температурну залежність ширини смуги делокалізованих станів поблизу середини підзон Ландау в режимі КЕХ. Temperature and magnetic-field dependences of longitudinal ρxx(B,T) and Hall ρxy(B,T) resistivities of n-InxGa1−xAs/GaAs nanostructures with single and double quantum wells are investigated in the quantum Hall effect (QHE) regime at B = 0–16 Т and T = = 0.05–70 K, before and after IR illumination. The temperature dependence of the QHE plateau-to-plateau transition width are analyzed and information about temperature dependences of the width of delocalized state stripes in the center of Landau subbands is obtained. Работа выполнена по Программе президиума РАН 12-П-2-1051 и при частичной поддержке РФФИ, гранты 11-02-00427, 12-02-00202. 2013 Article Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.Г. Новокшонов, А.С. Клепикова, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 66–75. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.21.Fg, 73.40.–c, 73.43.–f https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118101 ru Физика низких температур application/pdf Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
spellingShingle	XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Неверов, В.Н. Новокшонов, С.Г. Клепикова, А.С. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Якунин, М.В. Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла Физика низких температур
description	Экспериментально исследованы продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла (КЭХ) в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Тл и температур T = 0,05–70 К, до и после ИК подсветки. Проведен анализ температурной зависимости ширины переходов плато–плато КЭХ и получены сведения о температурной зависимости ширины полосы делокализованных состояний вблизи середины подзон Ландау в режиме КЭХ.
format	Article
author	Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Неверов, В.Н. Новокшонов, С.Г. Клепикова, А.С. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Якунин, М.В.
author_facet	Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Неверов, В.Н. Новокшонов, С.Г. Клепикова, А.С. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Якунин, М.В.
author_sort	Арапов, Ю.Г.
title	Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
title_short	Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
title_full	Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
title_fullStr	Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
title_full_unstemmed	Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
title_sort	температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-ingaas/gaas в режиме квантового эффекта холла
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate	2013
topic_facet	XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118101
citation_txt	Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.Г. Новокшонов, А.С. Клепикова, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 66–75. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.
series	Физика низких температур
work_keys_str_mv	AT arapovûg temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoânijvnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla AT gudinasv temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoânijvnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla AT neverovvn temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoânijvnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla AT novokšonovsg temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoânijvnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla AT klepikovaas temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoânijvnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla AT harusgi temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoânijvnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla AT šelušininang temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoânijvnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla AT âkuninmv temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoânijvnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla AT arapovûg temperaturedependenceofbandwidthofdelocalizedstatesforningaasgaasinthequantumhalleffectregime AT gudinasv temperaturedependenceofbandwidthofdelocalizedstatesforningaasgaasinthequantumhalleffectregime AT neverovvn temperaturedependenceofbandwidthofdelocalizedstatesforningaasgaasinthequantumhalleffectregime AT novokšonovsg temperaturedependenceofbandwidthofdelocalizedstatesforningaasgaasinthequantumhalleffectregime AT klepikovaas temperaturedependenceofbandwidthofdelocalizedstatesforningaasgaasinthequantumhalleffectregime AT harusgi temperaturedependenceofbandwidthofdelocalizedstatesforningaasgaasinthequantumhalleffectregime AT šelušininang temperaturedependenceofbandwidthofdelocalizedstatesforningaasgaasinthequantumhalleffectregime AT âkuninmv temperaturedependenceofbandwidthofdelocalizedstatesforningaasgaasinthequantumhalleffectregime
first_indexed	2025-11-25T21:07:27Z
last_indexed	2025-11-25T21:07:27Z
_version_	1849798004395999232

Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла

Institution

Ähnliche Einträge