Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
Экспериментально исследованы продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла (КЭХ) в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и
 двойной квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Тл и температур T = 0,05–70 К, до и&#...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2013
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118101 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.Г. Новокшонов, А.С. Клепикова,
 Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 66–75. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862553435112472576 |
|---|---|
| author | Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Неверов, В.Н. Новокшонов, С.Г. Клепикова, А.С. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Якунин, М.В. |
| author_facet | Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Неверов, В.Н. Новокшонов, С.Г. Клепикова, А.С. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Якунин, М.В. |
| citation_txt | Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.Г. Новокшонов, А.С. Клепикова,
 Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 66–75. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Экспериментально исследованы продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла (КЭХ) в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и
двойной квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Тл и температур T = 0,05–70 К, до и
после ИК подсветки. Проведен анализ температурной зависимости ширины переходов плато–плато КЭХ
и получены сведения о температурной зависимости ширины полосы делокализованных состояний вблизи середины подзон Ландау в режиме КЭХ.
Експериментально досліджено подовжнє ρxx(B) та холлівське ρxy(B) магнітоопори в режимі цілочисельного квантового ефекту Холла (КЕХ) в наноструктурах n-InGaAs/GaAs з поодинокою і подвійною
квантовими ямами в діапазоні магнітних полів В = 0–16 Tл і температур Т = 0,05–70 К, до і після ІЧ підсвічування. Проведено аналіз температурної залежності ширини переходів плато–плато КЕХ та отримано
дані про температурну залежність ширини смуги делокалізованих станів поблизу середини підзон Ландау в режимі КЕХ.
Temperature and magnetic-field dependences of
longitudinal ρxx(B,T) and Hall ρxy(B,T) resistivities of
n-InxGa1−xAs/GaAs nanostructures with single and
double quantum wells are investigated in the quantum
Hall effect (QHE) regime at B = 0–16 Т and T =
= 0.05–70 K, before and after IR illumination. The temperature
dependence of the QHE plateau-to-plateau
transition width are analyzed and information about
temperature dependences of the width of delocalized
state stripes in the center of Landau subbands is obtained.
|
| first_indexed | 2025-11-25T21:07:27Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-118101 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T21:07:27Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Неверов, В.Н. Новокшонов, С.Г. Клепикова, А.С. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Якунин, М.В. 2017-05-28T17:08:37Z 2017-05-28T17:08:37Z 2013 Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.Г. Новокшонов, А.С. Клепикова,
 Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 66–75. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.21.Fg, 73.40.–c, 73.43.–f https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118101 Экспериментально исследованы продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла (КЭХ) в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и
 двойной квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Тл и температур T = 0,05–70 К, до и
 после ИК подсветки. Проведен анализ температурной зависимости ширины переходов плато–плато КЭХ
 и получены сведения о температурной зависимости ширины полосы делокализованных состояний вблизи середины подзон Ландау в режиме КЭХ. Експериментально досліджено подовжнє ρxx(B) та холлівське ρxy(B) магнітоопори в режимі цілочисельного квантового ефекту Холла (КЕХ) в наноструктурах n-InGaAs/GaAs з поодинокою і подвійною
 квантовими ямами в діапазоні магнітних полів В = 0–16 Tл і температур Т = 0,05–70 К, до і після ІЧ підсвічування. Проведено аналіз температурної залежності ширини переходів плато–плато КЕХ та отримано
 дані про температурну залежність ширини смуги делокалізованих станів поблизу середини підзон Ландау в режимі КЕХ. Temperature and magnetic-field dependences of
 longitudinal ρxx(B,T) and Hall ρxy(B,T) resistivities of
 n-InxGa1−xAs/GaAs nanostructures with single and
 double quantum wells are investigated in the quantum
 Hall effect (QHE) regime at B = 0–16 Т and T =
 = 0.05–70 K, before and after IR illumination. The temperature
 dependence of the QHE plateau-to-plateau
 transition width are analyzed and information about
 temperature dependences of the width of delocalized
 state stripes in the center of Landau subbands is obtained. Работа выполнена по Программе президиума РАН
 12-П-2-1051 и при частичной поддержке РФФИ, гранты 11-02-00427, 12-02-00202. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime Article published earlier |
| spellingShingle | Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Неверов, В.Н. Новокшонов, С.Г. Клепикова, А.С. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Якунин, М.В. XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| title | Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла |
| title_alt | Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime |
| title_full | Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла |
| title_fullStr | Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла |
| title_full_unstemmed | Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла |
| title_short | Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла |
| title_sort | температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-ingaas/gaas в режиме квантового эффекта холла |
| topic | XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| topic_facet | XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118101 |
| work_keys_str_mv | AT arapovûg temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoâniivnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla AT gudinasv temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoâniivnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla AT neverovvn temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoâniivnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla AT novokšonovsg temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoâniivnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla AT klepikovaas temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoâniivnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla AT harusgi temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoâniivnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla AT šelušininang temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoâniivnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla AT âkuninmv temperaturnaâzavisimostʹširinypolosydelokalizovannyhsostoâniivnanostrukturahningaasgaasvrežimekvantovogoéffektaholla AT arapovûg temperaturedependenceofbandwidthofdelocalizedstatesforningaasgaasinthequantumhalleffectregime AT gudinasv temperaturedependenceofbandwidthofdelocalizedstatesforningaasgaasinthequantumhalleffectregime AT neverovvn temperaturedependenceofbandwidthofdelocalizedstatesforningaasgaasinthequantumhalleffectregime AT novokšonovsg temperaturedependenceofbandwidthofdelocalizedstatesforningaasgaasinthequantumhalleffectregime AT klepikovaas temperaturedependenceofbandwidthofdelocalizedstatesforningaasgaasinthequantumhalleffectregime AT harusgi temperaturedependenceofbandwidthofdelocalizedstatesforningaasgaasinthequantumhalleffectregime AT šelušininang temperaturedependenceofbandwidthofdelocalizedstatesforningaasgaasinthequantumhalleffectregime AT âkuninmv temperaturedependenceofbandwidthofdelocalizedstatesforningaasgaasinthequantumhalleffectregime |