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Nucleation, growth and transformation of microdefects in FZ-Si

The physical model of microdefects formation in dislocation-free FZ-Si single crystals is offered. Experimental results and theoretical data allows to approve that recombination between vacancy and self-interstitials at high temperatures is hampered by an entropy barrier. Established is that the pro...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2004
Hauptverfasser:	Talanin, V.I., Talanin, I.E.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118108
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Nucleation, growth and transformation of microdefects in FZ-Si / V.I. Talanin, I.E. Talanin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 1. — С. 16-21. — Бібліогр.: 50 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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