Зображення обкладинки

SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers

Electrical and structural properties of Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers on n-6H-, 15R- and 4H-SiC (with epi-layer) were studied. High thermal stability of ideality factors and barrier heights in the formed contacts was explained by the thermal stability of an inter...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2004
Автори:	Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Lytvyn, O.S., Lytvyn, P.M., Vlaskina, S.I., Agueev, O.A., Svetlichny, A.I., Soloviev, S.I., Sudarshan, T.S.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118115
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers / N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, V.V. Milenin, O.S. Lytvyn, P.M. Lytvyn, S.I. Vlaskina, O.A. Agueev, A.I. Svetlichny, S.I. Soloviev, T.S. Sudarshan // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 1. — С. 60-62. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2008)

Ordering of lateral nonuniformity of TiBx film and transition layer in the TiBx-GaAs system
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2001)

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)

Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au-Mo-TiBx-GaAs
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (1999)

Effect of microwave treatment on the parameters of Au-TiBx-GaAs(SiC 6H) surface-barrier structures
за авторством: Abdizhaliev, S.K., та інші
Опубліковано: (2003)

Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN
за авторством: Кудрик, Р.Я.
Опубліковано: (2015)

Effect of pulse thermal treatments on the Ni(Ti)–n-21R(6H)-SiC contact parameters
за авторством: Avdeev, S.P., та інші
Опубліковано: (2004)

Quantization of the magnetic moment in CdBxF2–x/p-CdF2–QW/CdBxF2–x nanosandwiches
за авторством: N. T. Bagraev, та інші
Опубліковано: (2014)

Квантование магнитного момента в наносандвичах CdBxF₂₋x/p-CdF₂₋QW/CdBxF₂₋x
за авторством: Баграев, Н.Т., та інші
Опубліковано: (2014)

Simulation of incoherent radiation absorption in 3C-, 6H- and 4H-SiC at rapid thermal processing
за авторством: Agueev, O.A., та інші
Опубліковано: (2000)

Raman spectroscopy of BN and BxNyCz structures formed in an optical furnace without catalysts
за авторством: L. L. Sartinska, та інші
Опубліковано: (2010)

Raman spectroscopy of BN and BxNyCz structures formed in an optical furnace without catalysts
за авторством: Sartinska, L.L., та інші
Опубліковано: (2010)

Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au–TiB₂–n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics
за авторством: Kudryk, Ya.Ya., та інші
Опубліковано: (2014)

Cyclic Period Changes of beta Lyrae-type Eclipsing Variable Stars KR Cyg, V382 Cyg and BX And
за авторством: D. E. Tvardovskyi, та інші
Опубліковано: (2015)

Cyclic Period Changes of β Lyrae-type Eclipsing Variable Stars KR Cyg, V382 Cyg and BX And
за авторством: Tvardovskyi, D.E., та інші
Опубліковано: (2015)

Evolution of structural and electrophysical parameters of Ni/SiC contacts at rapid thermal annealing
за авторством: Litvinov, V.L., та інші
Опубліковано: (2002)

Effect of trichostatin a on viability and microRNA expression in human pancreatic cancer cell line BxPC-3
за авторством: Zhang, S., та інші
Опубліковано: (2008)

Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au-TiB2-n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2014)

Molecular characterization of high-molecular weight glutenin subunits 1Bx6.1 and 1By22.1 from Triticum spelta K1731 accession
за авторством: O. A. Orlovskaja, та інші
Опубліковано: (2019)

Mechanism of 6H-3C transformation in SiC
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)

Synthesis of heterovalently substituted slab perovskites Sr2–xLnxBIV 1–xBx IIIO4 (BIV = Sn, Ti, BIII = Sc, In)
за авторством: Yu. O. Titov, та інші
Опубліковано: (2021)

A silicon carbide thermistor
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)

The left greatest common divisor and the left least common multiple of all solutions of the matrix equation BX = A over a commutative elementary divisor domain
за авторством: V. P. Shchedryk
Опубліковано: (2021)

The left greatest common divisor and the left least common multiple of all solutions of the matrix equation BX = A over a commutative elementary divisor domain
за авторством: Shchedryk, V. P., та інші
Опубліковано: (2021)

Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)

Peculiarities of the study of Au-Ti-Pd-n⁺-n-n⁺-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2019)

Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: Vlasov, S.I., та інші
Опубліковано: (2010)

New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis
за авторством: Arsentyev, I.N., та інші
Опубліковано: (2005)

Schottky contact degradation at thermal annealing
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2012)

Lateral photo-emf in Schottky contact
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2010)

Influence of parameters inherent to ohmic contacts on properties of microwave avalanche transit-time diodes
за авторством: Kudryk, Ya.Ya., та інші
Опубліковано: (2019)

Silicon carbide LED
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)

Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2010)

Nonlinear Analysis of Millimeter-Wave Schottky Diode Mixers
за авторством: Piddyachiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2013)

Passivation of silicon surface by ultrathin dielectric film in M/Si/nematic/ITO structures
за авторством: Gritsenko, M.I., та інші
Опубліковано: (2004)

Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)

Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)

Simulation of combined Schottky diode
за авторством: Ye. M. Kiselov
Опубліковано: (2013)

Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2019)