Зображення обкладинки

Characteristics of diode temperature sensors which exhibit Mott conduction in low temperature region

Heavily doped silicon diodes of n⁺⁺-p⁺ type which exhibit the Mott temperature dependence of the forward current in a certain range of bias voltages and low temperatures have studied from the point of their use as temperature sensors. In the region of hopping conduction, t...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2007
Автори:	Borblik, V.L., Shwarts, Yu.M., Shwarts, M.M.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118120
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Characteristics of diode temperature sensors which exhibit Mott conduction in low temperature region / V.L. Borblik, Yu.M. Shwarts, M.M. Shwarts // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 3. — С. 44-47. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

A new method of extraction of a p-n diode series resistance from I-V characteristics and its application to analysis of low-temperature conduction of the diode base
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2009)

Effect of mechanical stress on operation of diode temperature sensors
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2002)

About manifestation of the piezojunction effect in diode temperature sensors
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2003)

Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown
за авторством: Aleinikov, A.B., та інші
Опубліковано: (2012)

Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
за авторством: Ivashchenko, O.M., та інші
Опубліковано: (2010)

Non-ohmic Mott conductivity and thermometric characteristics of heavily doped silicon structures
за авторством: Shwarts, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2000)

Self-consistent method for optimization of parameters of diode temperature sensors
за авторством: Kulish, N.R., та інші
Опубліковано: (1999)

Effect of nonuniform doping profile on thermometric performance of diode temperature sensors
за авторством: Sokolov, V.N., та інші
Опубліковано: (2002)

Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
за авторством: O. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2010)

Peculiarities of injection phenomena in heavily doped silicon structures and development of radiation-resistant diode temperature sensors
за авторством: Shwarts, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown
за авторством: A. B. Aleinikov, та інші
Опубліковано: (2012)

Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2005)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon - diodes at cryogenic temperatures
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2017)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2017)

The effect of structure on the low-temperature electrical conductivity of carbon nanocomposite temperature sensors
за авторством: V. V. Vajnberg, та інші
Опубліковано: (2019)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)

Method of low-temperature rise of laser diode quality
за авторством: Kamuz, A.M., та інші
Опубліковано: (2002)

Features frequency conductivity of silicon sensor cryogenic temperatures
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2016)

Analytic theory for the current-voltage characteristic of a nanowire radial p-i-n diode
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2021)

Electrostatics of the nanowire radial -- diode
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2019)

Hopping conductivity in GaSe monocrystals at low temperatures
за авторством: Pashayev, A.M., та інші
Опубліковано: (2001)

Low-temperature anomalies of the hardened tin conductivity
за авторством: Voyevodin, V.N., та інші
Опубліковано: (2015)

Low temperature characteristics of germanium whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Electrical and thermal conductivity of FeNi at low temperatures
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2020)

Properties of junction diodes under conditions of bisotropic strains
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2009)

Low-temperature thermal conductivity of solid carbon dioxide
за авторством: Sumarokov, V.V., та інші
Опубліковано: (2003)

Electrical conductivity of polymer/carbon nanotubes nanocomposites at low temperatures
за авторством: L. Bardash, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of Temperature on Energy and Frequency Characteristics of mm-Waves Heterocathode Gunn Diodes
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Universal temperature dependence of the thermal conductivity of clathrate compounds, molecular crystals and glasses at low temperatures
за авторством: O. A. Koroljuk, та інші
Опубліковано: (2020)

Nanocrystalline Ge films created by thermal vacuum deposition on GaAs substrates: structural and electric properties
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2014)

Concerning the depletion width of a radial - junction and its influence on electrical properties of the diode
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2017)

Morphological and electronic characteristics of nanoalumina alone and in high-temperature (fumed) and low-temperature (mechanical) mixtures with nanosilica
за авторством: Ya. V. Zaulychnyy, та інші
Опубліковано: (2014)

Novel SnO₂ based optical sensor for detectin of low ammonia concentration in water at room temperatures
за авторством: Pisco, M., та інші
Опубліковано: (2005)

Magnetic field dependence of conductivity and effective mass of carriers in a model of Mott-Hubbard material
за авторством: Didukh, L., та інші
Опубліковано: (2005)

High stability temperature control of the laser diode for interferometry
за авторством: Kosyak, I. V.
Опубліковано: (2016)

Influence of carbon nanotubes on the electrical conductivity of PVDF/PANI/MWCNT nanocomposites at low temperatures
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2022)

The low-temperature specific heat of MWCNTs
за авторством: Sumarokov, V.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of carbon nanotubes on the electrical conductivity of PVDF/PANI/MWCNT nanocomposites at low temperatures
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2022)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)

Deformation-induced effects in indium antimonide microstructures at cryogenic temperatures for sensor applications
за авторством: Druzhinin, A.O., та інші
Опубліковано: (2019)