Diluted magnetic А₁₋xMnxВ semiconductors

Novel model of the diluted magnetic semiconductors (DMS) А₁₋xMnxВ possessing the 
 metallic conductivity is proposed. Using the coherent potential technique the electron scattering 
 by the randomly distributed Mn centers is taken into account. The exchange scattering of the &#...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2004
Автори: Bryksa, V.P., Tarasov, G.G., Masselink, W.T., Nolting, W., Mazur, Yu.I., Salamo, G.J.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118155
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Diluted magnetic А₁₋xMnxВ semiconductors / V.Р. Bryksa, G.G. Tarasov, W.T. Masselink, W. Nolting, Yu.I. Mazur, G.J. Salamo // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 2. — С. 119-128. — Бібліогр.: 42 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine