Diluted magnetic А₁₋xMnxВ semiconductors

Novel model of the diluted magnetic semiconductors (DMS) А₁₋xMnxВ possessing the metallic conductivity is proposed. Using the coherent potential technique the electron scattering by the randomly distributed Mn centers is taken into account. The exchange scattering of the electron spin by th...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:2004
Hauptverfasser: Bryksa, V.P., Tarasov, G.G., Masselink, W.T., Nolting, W., Mazur, Yu.I., Salamo, G.J.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118155
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Diluted magnetic А₁₋xMnxВ semiconductors / V.Р. Bryksa, G.G. Tarasov, W.T. Masselink, W. Nolting, Yu.I. Mazur, G.J. Salamo // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 2. — С. 119-128. — Бібліогр.: 42 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine