Сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа АIVBVI

• Date: 2008
• Main Authors: Юзефович, О.И., Михайлов, М.Ю., Бенгус, C.В., Аладышкин, А.Ю., Пестов, Е.Е., Ноздрин, Ю.Н., Сипатов, А.Ю., Бухштаб, Е.И., Фогель, Н.Я.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2008
• Series: Физика низких температур
• Subjects: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118198
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа АIVBVI / О.И. Юзефович, М.Ю. Михайлов, C.В. Бенгус, А.Ю. Аладышкин, Е.Е. Пестов, Ю.Н. Ноздрин, А.Ю. Сипатов, Е.И. Бухштаб, Н.Я. Фогель // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 12. — С. 1249-1258. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Проведено комплексное исследование и сравнение сверхпроводящих свойств двухслойных и многослойных полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур типа АIVВVI, проявляющих сверхпроводимость при критических температурах Тс≤6,5 К. Сверхпроводимость этих систем связана с инверсией зон в узкощелевых полупроводниках, обусловленной неоднородными напряжениями, создаваемыми сеткой дислокаций несоответствия, возникающей на границах раздела при эпитаксиальном росте. Обнаружено, что Тс и характер сверхпроводящего перехода двухслойных гетероструктур PbTe/PbS зависят от толщины полупроводниковых слоев d и напрямую связаны с качеством сеток дислокаций несоответствия на интерфейсах (количеством и типом структурных дефектов в сетках). Найдены существенные отличия в поведении двухслойных сэндвичей и сверхрешеток. Минимальная толщина d, при которой появляется сверхпроводимость, для двухслойных систем в несколько раз больше, чем для многослойных. Верхние критические магнитные поля Hc₂ двухслойных систем более анизотропны. В области температур, близких к Тс, для сверхрешеток наблюдается 3D-поведение, а ее понижение приводит к кроссоверу 3D–2D. Для двухслойных структур 2D-поведение начинается непосредственно от Тс и обнаруживается кроссовер типа 2D–1D с резкой расходимостью Hc₂, характерной для сверхпроводящих сеток.