O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2008
• Автори: Баранник, А.А., Буняев, С.А., Черпак, Н.Т.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2008
• Теми: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118201
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений / А.А. Баранник, С.А. Буняев, Н.Т. Черпак // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 12. — С. 1239-1244. — Бібліогр.: 26 назв. — рос.

Исследована температурная зависимость поверхностного сопротивления RS(T) высококачественной
 эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ толщиной 600 нм, нанесенной на монокристаллическую подложку
 MgO. Измерения проведены в интервале температур от Tc до 2 К с применением новой техники — с
 использованием сапфирового полусферического резонатора с волнами шепчущей галереи в 8-миллиметровом
 диапазоне волн (Ka-band). Развитая техника измерений позволяет при низких температурах достичь
 высокой чувствительности измерений RS(T) (до 10 мкОм). Получена линейная зависимость RS(T) в
 интервале температур 2 15К, которая согласуется с представлениями о d-волновой симметрии параметра
 порядка. Найденное в работе значение остаточного сопротивления Rres =RS(T→0) показывает, что
 пленка по микроволновым свойствам близка к монокристаллам и Rres, по-видимому, определяется внутренними
 свойствами сверхпроводника. Из анализа опубликованных данных следует, что Rres(ω) ~ ω³/²
 для монокристаллов и пленок YBa₂Cu₃O₇₋σ, при этом природа остаточного микроволнового сопротивления
 остается невыясненной. Досліджено температурну залежність поверхневого опору RS (T) високоякісної епітаксіальної
 плівки YBa₂Cu₃O₇₋σ товщиною 600 нм, яку нанесено на монокристалічну підкладку MgO. Вимірювання
 проведено в інтервалі температур від Tc до 2 К із застосуванням нової техніки — з використанням
 сапфірового напівсферичного резонатора з хвилями типу шепочучої галереї у 8-міліметровому діапазон
 і хвиль (Ka-band). Техніка вимірювання, яку розвинуто, дозволяє при низьких температурах досягнути
 высокої чутливості вимірювання RS(T) (до 10 мкОм). Отримано лінійну залежність RS(T) в інтервал
 і температур 2–15 К, яка узгоджується з уявленнями про d-хвильову симетрію параметра порядку.
 Знайдене у роботі значення залишкового опору Rres=RS(T→0) показує, що плівка за мікрохвильовими
 властивостями близька до монокристалів і Rres, очевидно, визначається внутрішніми властивостями
 надпровідника. Із аналізу опублікованих даних випливає, що Rres(ω) ~ ω³/² для монокристалів і плівок
 YBa₂Cu₃O₇₋σ , при цьому природа залишкового мікрохвильового опору залишається нез’ясованою. The temperature dependence of surface resistance
 RS(T) of a high-quality epitaxial YBa₂Cu₃O₇₋σ film
 of 600 nm sputtered onto a single crystal MgO substrate
 has been measured. The measurements were
 carried out in the temperature interval from Tc to 2 K
 by means of a new technique, namely, using a sapphire
 hemispherical resonator excited with whispering
 gallery modes in the Ka-band. This technique
 allows one to achieve high sensitivity of RS(T)
 measurement, up to 10 &, at low temperatures. A
 linear dependence was obtained in a temperature interval
 of 2–15 K, in agreement with the idea of
 d-wave symmetry of order parameter. The value of
 Rres=RS(T→0) found in the work shows that the
 film properties are similar to those of single crystals,
 and if seems that Rres is determined by intrinsic properties
 of a superconductor. Analysis of the data published
 results in Rres(ω) ~ ω³/² for YBa₂Cu₃O₇₋σ single
 crystals and films, and at the same time the nature
 of residual microwave resistance remains unclear.