O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений
Исследована температурная зависимость поверхностного сопротивления RS(T) высококачественной эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ толщиной 600 нм, нанесенной на монокристаллическую подложку MgO. Измерения проведены в интервале температур от Tc до 2 К с применением новой техники — с использованием сап...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2008
|
| Schriftenreihe: | Физика низких температур |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118201 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений / А.А. Баранник, С.А. Буняев, Н.Т. Черпак // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 12. — С. 1239-1244. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Исследована температурная зависимость поверхностного сопротивления RS(T) высококачественной
эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ толщиной 600 нм, нанесенной на монокристаллическую подложку
MgO. Измерения проведены в интервале температур от Tc до 2 К с применением новой техники — с
использованием сапфирового полусферического резонатора с волнами шепчущей галереи в 8-миллиметровом
диапазоне волн (Ka-band). Развитая техника измерений позволяет при низких температурах достичь
высокой чувствительности измерений RS(T) (до 10 мкОм). Получена линейная зависимость RS(T) в
интервале температур 2 15К, которая согласуется с представлениями о d-волновой симметрии параметра
порядка. Найденное в работе значение остаточного сопротивления Rres =RS(T→0) показывает, что
пленка по микроволновым свойствам близка к монокристаллам и Rres, по-видимому, определяется внутренними
свойствами сверхпроводника. Из анализа опубликованных данных следует, что Rres(ω) ~ ω³/²
для монокристаллов и пленок YBa₂Cu₃O₇₋σ, при этом природа остаточного микроволнового сопротивления
остается невыясненной. |
|---|