Effect of chemical modification of thin C₆₀ fullerene films on the fundamental absorption edge
Fullerene C₆₀ films were grown using physical vapor deposition on Si substrates at room temperature. Then chemical modification with cross-linking these films was performed using the reaction with 1,8-octanediamine (DA) or octane-1,8- dithiol (DT). These chemically cross-linked C₆₀ films are capa...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118234 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Effect of chemical modification of thin C₆₀ fullerene films on the fundamental absorption edge / N.L. Dmitruk, O.Yu. Borkovskaya, T.S. Havrylenko, D.O. Naumenko, P. Petrik, V. Meza-Laguna, E.V. Basiuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 2. — С. 180-185. — Бібліогр.: 21 назв. — англ. |