Зображення обкладинки

Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters

In this work, the gettering process in the multicrystalline Si wafers by the combined getter structures of the porous Si and Al layers during annealings at temperatures 600 up to 750 °C has been theoretically studied. A kinetic model based on the diffusion equation has been developed, and the charac...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2012
ISSN:	1560-8034
Автори:	Sarikov, A., Naseka, V.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118257
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters / Sarikov, V. Naseka // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 1. — С. 8-12. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters
за авторством: A. Sarikov, та інші
Опубліковано: (2012)

Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon
за авторством: Evtukh, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)

Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2019)

Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
за авторством: Litvinenko, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)

Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon
за авторством: A. Misiuk, та інші
Опубліковано: (2010)

Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon
за авторством: Misiuk, A., та інші
Опубліковано: (2010)

Influence of gettering on aluminum ohmic contact formation
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering
за авторством: I. M. Vikulin, та інші
Опубліковано: (2018)

Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering
за авторством: Vikulin, I.M., та інші
Опубліковано: (2018)

On features of deoxidization of CsI melt with zirconium getter
за авторством: Datsko, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2016)

Improving parameters of planar pulse diode using gettering
за авторством: V. M. Lytvynenko, та інші
Опубліковано: (2021)

Methods and mechanisms of gettering of silicon structures in the production of integrated circuits
за авторством: V. A. Pilipenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Increase of planar homogeneity of multi-silicon structures by gettering treatments
за авторством: Litovchenko, V.G., та інші
Опубліковано: (2001)

Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of plasma treatment on erosion haracteristics and structure of reversible hydrogen getters
за авторством: Borisko, V.N., та інші
Опубліковано: (2000)

Study of desorption process from the Zr (62) – Ni (38 wt.%) non-evaporable getter
за авторством: Aksyonova, G.N., та інші
Опубліковано: (2017)

Block of an electron gun combined with a getter - ion pump designed for high - power beam - plasma microwave devices
за авторством: Antonov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)

The formation of isolating and gettering layers in semiconductors with use of medium energy proton implantation
за авторством: F. F. Komarov, та інші
Опубліковано: (2008)

Peculiarities of applying reversible hydrogen getters as materials for athodes in gas discharge devices
за авторством: Borisko, V.N., та інші
Опубліковано: (2000)

Photocatalysis and optical properties of ZnO nanostructures grown by MOCVD on Si, Au/Si and Ag/Si wafers
за авторством: V. A. Karpyna, та інші
Опубліковано: (2023)

Influence of Zr-Fe getter filter on Cd and Zn deep refining of interstitial impurities
за авторством: Kondrik, A.I., та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of getter additions on hydrogen- induced embrittlement of welded joints on structural materials of NPP equipment
за авторством: V. M. Azhazha, та інші
Опубліковано: (2010)

Growing the epitaxial undoped and N-doped ZnO films by radical beam gettering epitaxy
за авторством: Rogozin, I.V.
Опубліковано: (2006)

High efficient solar cells and modules based on diamond-like carbon film - multicrystalline Si structures
за авторством: Klyui, N.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Refining of Cd and Zn from interstitial impurities using distillation with a ZrFe getter filter
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2013)

Preparation and study of the porous Si surfaces obtained by electrochemical method
за авторством: Lytovchenko, V., та інші
Опубліковано: (2017)

Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)

Preparation and study of the porous Si surfaces obtained by electrochemical method
за авторством: V. G. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Kinetic of photoluminescence of porous nc-Si–SiOx structures
за авторством: E. V. Mikhajlovskaja, та інші
Опубліковано: (2012)

Solar cells based on multicrystalline silicon
за авторством: Popov, V.G.
Опубліковано: (2000)

The influence of H₂S and H₂ adsorption on characteristics of MIS structures with Si porous layers
за авторством: Solntsev, V.S., та інші
Опубліковано: (2008)

Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Photoluminescence of porous nc-Si—SiOx nanostructures treated by HF vapors
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)

Characterization of «solar» multicrystalline silicon by local measurements
за авторством: Popov, V.G.
Опубліковано: (2001)

Controlling the photoluminescence spectra of porous nc-Si–SiOx structures by vapor treatment
за авторством: Dan’ko, V.A., та інші
Опубліковано: (2010)

Control of photoluminescence spectra of porous nc-Si-SiOx structures by vapor treatment
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)

Application in a linear proton accelerator of a non-vaporizable Zr(86)-Al(14) getter located inside the chamber of a plasma-ion proton injector for its additional pumping
за авторством: Aksonova, A.M., та інші
Опубліковано: (2022)

Effect of acetone vapor treatment on photoluminescence of porous nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (2009)

Obtaining and examination of heterostructure ZnO:Al/por-Si/Si
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2020)