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Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters

In this work, the gettering process in the multicrystalline Si wafers by the combined getter structures of the porous Si and Al layers during annealings at temperatures 600 up to 750 °C has been theoretically studied. A kinetic model based on the diffusion equation has been developed, and the charac...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2012
Hauptverfasser:	Sarikov, A., Naseka, V.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118257
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters / Sarikov, V. Naseka // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 1. — С. 8-12. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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