Current transport mechanisms in metal – high-k dielectric – silicon structures
The mechanism of current transport in several high k -dielectric, including
 rare earth metal oxides (Gd₂O₃, Nd₂O₃), ternary compounds (LaLuO₃) and rare earth
 metal silicate (LaSiOx) thin films on silicon was studied using current-voltage ( I - V )
 and conductance-frequenc...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118283 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Current transport mechanisms in metal – high-k
 dielectric – silicon structures / Y.V. Gomeniuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 2. — С. 139-146. — Бібліогр.: 35 назв. — англ. |