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Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN

Here we report the reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride (GaN). The reflection coefficient obtained in the photon energy range 2–10 eV shows five distinct peaks at photon energies 3.5, 5.0, 7.0, 8.0, and 9.0 eV. It was observed that the reflect...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2012
Hauptverfasser:	Akinlami, J.O., Olateju, I.O.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118322
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN / J.O. Akinlami, I.O. Olateju // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 3. — С. 281-284. — Бібліогр.: 22 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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