Syngaivska, G., & Korotyeyev, V. (2007). Monte Carlo Simulation of hot electron effects in compensated GaN semiconductor at moderate electricfields. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Syngaivska, G.I, та V.V Korotyeyev. Monte Carlo Simulation of Hot Electron Effects in Compensated GaN Semiconductor at Moderate Electricfields. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2007.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Syngaivska, G.I, та V.V Korotyeyev. Monte Carlo Simulation of Hot Electron Effects in Compensated GaN Semiconductor at Moderate Electricfields. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2007.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.