Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
Electron relaxation processes at nitrogen temperatures in CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe quantum well (QW) with an inverted band structure is modelled. In this structure, scattering by longitudinal optical phonons, charged impurities, acoustic phonons and interfaces were taken into account. It was found tha...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118360 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe / E.O. Melezhik, J.V. Gumenjuk-Sichevska, F.F. Sizov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 1. — С. 85-96. — Бібліогр.: 45 назв. — англ. |