Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
Electron relaxation processes at nitrogen temperatures in CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe quantum well (QW) with an inverted band structure is modelled. In this structure, scattering by longitudinal optical phonons, charged impurities, acoustic phonons and interfaces were taken into account. It was found tha...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118360 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe / E.O. Melezhik, J.V. Gumenjuk-Sichevska, F.F. Sizov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 1. — С. 85-96. — Бібліогр.: 45 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Properties of CdTe thin films prepared by hot wall epitaxy
за авторством: Bilevych, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Bilevych, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2004)
Relaxation factors of acoustic conductivity in CdTe
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2018)
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)
Noise in HgCdTe LWIR arrays
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2002)
Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах
за авторством: Балабай, Р.М., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Балабай, Р.М., та інші
Опубліковано: (2011)
Пленочные солнечные элементы ITO/SnO₂/CdS/CdTe/Cu/Au
за авторством: Хрипунов, Г.С., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Хрипунов, Г.С., та інші
Опубліковано: (2014)
Fabrication of CdS/CdTe solar cells by quasiclosed space technology and research of their properties
за авторством: T. V. Semikina
Опубліковано: (2018)
за авторством: T. V. Semikina
Опубліковано: (2018)
Fabrication of CdS/CdTe solar cells by quasiclosed space technology and research of their properties
за авторством: T. V. Semikina
Опубліковано: (2018)
за авторством: T. V. Semikina
Опубліковано: (2018)
Вплив домішок і дефектів структури на властивості детекторів на основі CdTe та CdZnTe
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2022)
Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe
за авторством: Kondrik, Alexander, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Kondrik, Alexander, та інші
Опубліковано: (2019)
Features of a shock wave in CdTe by pulsed laser irradiation
за авторством: Dauletmuratov, B.K.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Dauletmuratov, B.K.
Опубліковано: (2011)
The influence of physical and technological magnetron sputtering modes on the structure and optical properties of CdS and CdTe films
за авторством: G. S. Khrypunov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: G. S. Khrypunov, та інші
Опубліковано: (2017)
Вплив стабілізаторів на закономірності формування нанокристалів CdTe в колоїдних розчинах
за авторством: Капуш, О.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Капуш, О.А., та інші
Опубліковано: (2012)
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe
за авторством: Мостовой, А.И., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Мостовой, А.И., та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of radiation defects on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl irradiated by neutrons
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2020)
Dependence of the melting threshold of CdTe on the wavelength and pulse duration of laser radiation (Article retracted)
за авторством: V. P. Veleschuk, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. P. Veleschuk, та інші
Опубліковано: (2020)
Transformation of impurity-defect centers in single crystals CdTe: Cl under the influence of microwaves
за авторством: N. D. Vakhnyak, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: N. D. Vakhnyak, та інші
Опубліковано: (2017)
Influence of pulsed 266-nm laser radiation on the optical properties of CdTe and Cd0.9Zn0.1Te in the region of the fundamental optical transition
за авторством: P. O. Hentsar, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: P. O. Hentsar, та інші
Опубліковано: (2021)
Influence of pulsed 266-nm laser radiation on the optical properties of CdTe and Cd0.9Zn0.1Te in the region of the fundamental optical transition
за авторством: P. O. Gentsar, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: P. O. Gentsar, та інші
Опубліковано: (2021)
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)
Calculation of Fermi level location and point defect ensemble in CdTe single crystal and thin films
за авторством: Kosyak, V.V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Kosyak, V.V., та інші
Опубліковано: (2007)
Вплив радіаційних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe:Cl, опроміненого нейтронами
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2020)
Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
за авторством: Budzulyak, S. I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Budzulyak, S. I., та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of the nature of dispersion medium on the CdTe/TGA nanocrystal formation in colloidal solutions and polymeric membranes
за авторством: O. A. Kapush, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: O. A. Kapush, та інші
Опубліковано: (2020)
Dynamical screening function and plasmons in the wide HgTe quantum wells at high temperatures
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2018)
Isothermal growth kinetics of CdxHg₁₋xTe LPE layers
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)
Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)
Effect of ultrasound treatment on the electro-physical properties of the structure of Al-Al2O3-p-CdTe
за авторством: A. K. Uteniyazov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. K. Uteniyazov, та інші
Опубліковано: (2019)
Dependence of the CdTe melting threshold on the pulse duration and wavelength of laser radiation and the parameters of non-equilibrium charge carriers
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Dependence of the CdTe melting threshold on the pulse duration and wavelength of laser radiation and the parameters of non-equilibrium charge carriers
за авторством: V. P. Veleschuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. P. Veleschuk, та інші
Опубліковано: (2017)
In–HgCdTe–In structures with symmetric nonlinear I–V characteristics for sub-THz direct detection
за авторством: N. I. Kukhtaruk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: N. I. Kukhtaruk, та інші
Опубліковано: (2017)
State of Cd₁₋xZnxTe and Cd₁₋xMnxTe surface depending on treatment type
за авторством: Dremlyuzhenko, S.G., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Dremlyuzhenko, S.G., та інші
Опубліковано: (2004)
Тепловизор на основе матричного фотоприемного устройства из 128×128 CdHgTe-фотодиодов
за авторством: Reva, V. P., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Reva, V. P., та інші
Опубліковано: (2010)
Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
за авторством: I. H. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. H. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
за авторством: I. G. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. G. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)