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Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe

Electron relaxation processes at nitrogen temperatures in CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe quantum well (QW) with an inverted band structure is modelled. In this structure, scattering by longitudinal optical phonons, charged impurities, acoustic phonons and interfaces were taken into account. It was found tha...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2014
Hauptverfasser:	Melezhik, Ye.O., Gumenjuk-Sichevska, J.V., Sizov, F.F.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118360
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe / E.O. Melezhik, J.V. Gumenjuk-Sichevska, F.F. Sizov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 1. — С. 85-96. — Бібліогр.: 45 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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