Features of Auger-emission in channeling
Shown in this paper is the influence of channeling effect on formation of the signal for low- and high-energy Auger-electrons observed in monocrystalline silicon. It has been ascertained the anisotropic (wave-like) character of the yield value for lowenergy Auger-electrons in silicon, when changi...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 2014 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118361 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Features of Auger-emission in channeling / I.A. Kossko, A.Ye. Denisov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 1. — С. 97-99. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |