Concentration-size dependences for the electron energy in AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs nanofilms

Using approximation of dielectric continuum and the Green function method, studied in this work is the influence of electron-phonon interaction on position of the bottom of the ground energy band for electron in the quantum well of a finite depth. Considering the example of a plain nano-heterostr...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:2014
Hauptverfasser: Kondryuk, D.V., Kramar, V.M., Kroitor, O.P.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118365
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Concentration-size dependences for the electron energy in AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs nanofilms / D.V. Kondryuk, V.M. Kramar, O.P. Kroitor // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 2. — С. 160-164. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine