Calculated images of dislocations in crystals on section topograms

• Опубліковано в: : Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Дата: 2010
• Автори: Novіkov, S.M., Fodchuk, І.M., Fedortsov, D.G., Struk, A.Ya.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118401
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Calculated images of dislocations in crystals on section topograms / S.M. Novіkov, І.M. Fodchuk, D.G. Fedortsov, A.Ya. Struk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 3. — С. 268-272. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.

By means of numerical solution of the Takagi equations, modeling of X-ray topographic images of deformation fields of the dislocation loops and dislocation of different types. Diffraction images created by dislocations and dislocation loops of different size and spatial location are complicated a...