Calculated images of dislocations in crystals on section topograms

• Veröffentlicht in: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Datum: 2010
• Hauptverfasser: Novіkov, S.M., Fodchuk, І.M., Fedortsov, D.G., Struk, A.Ya.
• Format: Artikel
• Sprache: Englisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118401
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Calculated images of dislocations in crystals on section topograms / S.M. Novіkov, І.M. Fodchuk, D.G. Fedortsov, A.Ya. Struk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 3. — С. 268-272. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.

By means of numerical solution of the Takagi equations, modeling of X-ray
 topographic images of deformation fields of the dislocation loops and dislocation of
 different types. Diffraction images created by dislocations and dislocation loops of
 different size and spatial lo...