Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
Interband optical transitions in the epitaxial Si/Ge heterostructures with Ge
 nanoislands grown on Si(100) surface were investigated using photocurrent
 spectroscopy. The mechanism of photoconductivity was discussed. It was shown that
 electron transitions from the ground st...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118412 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Photoconductivity mechanism in structures
 with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface / Ye.Ye. Melnichuk, Yu.V. Hyrka, S.V. Kondratenko, Yu.N. Kozyrev, V.S. Lysenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 4. — С. 331-335. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |