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Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface

Interband optical transitions in the epitaxial Si/Ge heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100) surface were investigated using photocurrent spectroscopy. The mechanism of photoconductivity was discussed. It was shown that electron transitions from the ground st...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2014
ISSN:	1560-8034
Hauptverfasser:	Melnichuk, Ye.Ye., Hyrka, Yu.V., Kondratenko, S.V., Kozyrev, Yu.N., Lysenko, V.S.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118412
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface / Ye.Ye. Melnichuk, Yu.V. Hyrka, S.V. Kondratenko, Yu.N. Kozyrev, V.S. Lysenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 4. — С. 331-335. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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