Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
Interband optical transitions in the epitaxial Si/Ge heterostructures with Ge
 nanoislands grown on Si(100) surface were investigated using photocurrent
 spectroscopy. The mechanism of photoconductivity was discussed. It was shown that
 electron transitions from the ground st...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | Melnichuk, Ye.Ye., Hyrka, Yu.V., Kondratenko, S.V., Kozyrev, Yu.N., Lysenko, V.S. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118412 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Photoconductivity mechanism in structures
 with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface / Ye.Ye. Melnichuk, Yu.V. Hyrka, S.V. Kondratenko, Yu.N. Kozyrev, V.S. Lysenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 4. — С. 331-335. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
за авторством: Ye. Ye. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ye. Ye. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015)
The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2015)
Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)
Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)
Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2021)
Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)
The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
за авторством: Kozyrev, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Kozyrev, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2008)
Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO₂ grown by high temperature annealing technology of SiOx layer, X<2
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO2 grown by high temperature annealing technology of SiOX layer, X&lt;2
за авторством: S. V. Bunak, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: S. V. Bunak, та інші
Опубліковано: (2010)
Особливості фото-ерс нанокластерних структур Ge, утворених на оксидованій поверхні Si
за авторством: Kozyrev, Yu. M., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kozyrev, Yu. M., та інші
Опубліковано: (2011)
Morphology and optical constants of ge nanocrystalline films deposited on Si(001)
за авторством: Yu. M. Kozyriev, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Yu. M. Kozyriev, та інші
Опубліковано: (2016)
Поверхнева фото-ерс структур Au−C60−Si
за авторством: Kozachenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Kozachenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2022)
Photoresponse in Ge/Si nanostructures with quantum dots
за авторством: Nikolenko, A.S., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Nikolenko, A.S., та інші
Опубліковано: (2006)
Photochromic effect and photoconductivity in undoped and doped Bi₁₂SiO₂₀ crystals
за авторством: Panchenko, T.V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Panchenko, T.V., та інші
Опубліковано: (2007)
Kirchhoff and electron curvature indexes for SiC nanoclusters
за авторством: Luzanov, A.V.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Luzanov, A.V.
Опубліковано: (2017)
Influence of elastic deformation on local current characteristics of separate Ge nanoclusters on Si investigated by conducting atomic force microscopy
за авторством: Ju. Rubezhanskaja
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ju. Rubezhanskaja
Опубліковано: (2012)
Optical absorption and photoconductivity of ZnSe:Co single crystals
за авторством: Vaksman, Yu.F., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Vaksman, Yu.F., та інші
Опубліковано: (2007)
Multimodal size distribution of Si nanoclusters in SiO₂ as manifestation of interaction in the space of sizes
за авторством: Blonskiy, I.V., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Blonskiy, I.V., та інші
Опубліковано: (1998)
Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)
Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)
Investigation of structural perfection of SiC ingots grown by a sublimation method
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (1999)
Laser-induced photoconductivity of ferromagnetic semiconductors
за авторством: Semchuk, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Semchuk, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)
The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)
Photoconductivity in bilateral macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2022)
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2022)
Photoconductivity in bilateral macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2022)
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2022)
Relaxation of photoconductivity in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)
Conductivity of sandwich-structures based on dye-doped photoconducting and non-photoconducting polymer films
за авторством: Davidenko, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Davidenko, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)
Magnetic and magnetoresistive characteristics of neutron-irradiated Si₀.₉₇Ge₀.₀₃ whiskers
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (2014)
Photoabsorption and photoconductivity in C₆₀ layers
за авторством: Kanev, St., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Kanev, St., та інші
Опубліковано: (2006)
Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature-pressure
за авторством: J. Bak-Misiuk, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: J. Bak-Misiuk, та інші
Опубліковано: (2009)
Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature–pressure
за авторством: Bak-Misiuk, J., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Bak-Misiuk, J., та інші
Опубліковано: (2009)
IR Spectroscopic Study of Thin ZnO Films Grown Using the Atomic Layer Deposition Method
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2016)
Pecularities of pore relaxation in nanoclusters
за авторством: Ratner, M.A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ratner, M.A., та інші
Опубліковано: (2016)
Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)
Схожі ресурси
-
Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
за авторством: Ye. Ye. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2014) -
Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2012) -
Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2012) -
Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015) -
The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2015)