Free-volume correlations in positron-sensitive annihilation modes in chalcogenide vitreous semiconductors: on the path from illusions towards realistic physical description
A newly modified correlation equation between defect-related positron lifetime t₂ (ns) defined within two-state model and corresponding radius R (Å) of freevolume positron traps in the full non-linear form or simplified linear-approximated is proved to account for compositional trends in void volume...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118489 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Free-volume correlations in positron-sensitive annihilation modes in chalcogenide vitreous semiconductors: on the path from illusions towards realistic physical description / O.I. Shpotyuk, M.M. Vakiv, M.V. Shpotyuk, A. Ingram, J. Filipecki, A.P. Vaskiv // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 3. — С. 243-251. — Бібліогр.: 46 назв. — англ. |