Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films
Heterostructure contacts p⁺ -PbTe/p-CdTe were prepared using the hot-wall technique on glassceramic substrates. It has been shown that the potential barrier at the p⁺ -PbTe/p-CdTe interface is not formed in the case of heavily doped lead telluride. That allows one to create ohmic heterocontacts...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118495 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films / A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin, A.I. Tkachuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 3. — С. 268-271. — Бібліогр.: 21 назв. — англ. |