Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films

• Veröffentlicht in: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Datum: 2014
• ISSN: 1560-8034
• Hauptverfasser: Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Tkachuk, A.I.
• Format: Artikel
• Sprache: Englisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118495
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films / A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin, A.I. Tkachuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 3. — С. 268-271. — Бібліогр.: 21 назв. — англ.

Heterostructure contacts p⁺
 -PbTe/p-CdTe were prepared using the hot-wall
 technique on glassceramic substrates. It has been shown that the potential barrier at the
 p⁺
 -PbTe/p-CdTe interface is not formed in the case of heavily doped lead telluride. That
 a...