Conductivity type conversion in p-CdZnTe under pulsed laser irradiation
Laser-induced surface modification is investigated in p-Cd₀.₉Zn₀.₁Te under irradiation with nanosecond pulses of YAG:Nd laser by using the power density 5 MW/cm². Conductivity type conversion of the near-surface region with the thickness of several micrometers is observed. The surface-barrier str...
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | Tetyorkin, V.V., Sukach, A.V., Krolevec, N.M. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118500 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Conductivity type conversion in p-CdZnTe under pulsed laser irradiation / V.V. Tetyorkin, A.V. Sukach, N.M. Krolevec // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 3. — С. 291-294. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Conductivity type conversion in p-CdZnTe under pulsed laser irradiation
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2014) -
Photostimulated passivation of spectrometric CdZnTe detectors
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2008) -
CdZnTe sensors for X-ray measurements
за авторством: A. V. Rybka, та інші
Опубліковано: (2006) -
Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2015) -
Experimental model of multidetector device based on CdZnTe detectors
за авторством: Batiy, V.G., та інші
Опубліковано: (2005)