Харвестер відкритої науки НАН України

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods

за авторством Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Tkachuk, A.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)

Conductivity type conversion in p-CdZnTe under pulsed laser irradiation

за авторством Tetyorkin, V.V., Sukach, A.V., Krolevec, N.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Mechanisms of carrier transport in CdTe polycrystalline films

за авторством Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Krolevec, N.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions

за авторством Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Tkachuk, A.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)

Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films

за авторством Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Tkachuk, A.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Noise spectra and dark current investigations in n⁺-p-type Hg₁₋xCdxTe (x ≈ 0.22) photodiodes

за авторством Ivasiv, Z.F., Sizov, F.F., Tetyorkin, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes

за авторством Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Krolevec, N.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

Рекомбінація та прилипання нерівноважних носіїв в n-InSb

за авторством Tetyorkin, V.V., Tkachuk, A.I., Lutsyshyn, I.G.
Опубліковано 2024

Layer structure formation in Hg₁₋xCdxTe films after high-frequency sonication

за авторством Savkina, R.K., Sizov, F.F., Smirnov, A.B., Tetyorkin, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)

Injection current and infrared photosensitivity in isotype p-PbTe/p-CdTe heterojunctions

за авторством Tetyorkin, V.V., Sukach, A.V., Tkachuk, A.I., Movchan, S.P.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2013)

Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films

за авторством Tetyorkin, V.V., Sukach, A.V., Stariy, S.V., Boiko, V.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)

Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films

за авторством Tetyorkin, V.V., Sukach, A.V., Boiko, V.A., Tkachuk, A.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)

Investigation of Al-ZERODUR interface by Raman and secondary ion mass spectroscopy

за авторством Berezhinsky, L.I., Yukhymchuk, V.A., Maslov, V.P., Tetyorkin, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жид­ко­фаз­ной эпитаксии

за авторством Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Sukach, A. V., Tetyorkin, V. V., Mrykhin, I. A., Mikhashchuk, Yu. S., Kru­kov­skii, R. S.
Опубліковано 2012