The growth of weakly coupled graphene sheets from silicon carbide powder
A simple method for production of weakly coupled graphene layers by hightemperature sublimation of polycrystalline SiC is presented. The method allows manufacturing carbon-based composite with a high content of weakly coupled graphene layers in large-scale production. The study of the obtained ca...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118507 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | The growth of weakly coupled graphene sheets from silicon carbide powder / V.S. Kiselov, P.M. Lytvyn, A.S. Nikolenko, V.V. Strelchuk, Yu.Yu. Stubrov, M.P. Tryus, A.E. Belyaev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 3. — С. 301-307. — Бібліогр.: 36 назв. — англ. |