Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
The results of studies of the spectral characteristics of the m-n⁰-n-structure with a base area on the basis of thin epitaxial specified undoped GaInAs and oxygendoped AlGaAs layers are presented. It is experimentally revealed that own defects and oxygen impurities introduced into the thin act...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2008 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118592 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers / D.M. Yodgorova, A.V. Karimov, F.A. Giyasova, R.A. Saidova, A.A. Yakubov// Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 1. — С. 26-28. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |