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Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers

The results of studies of the spectral characteristics of the m-n⁰-n-structure with a base area on the basis of thin epitaxial specified undoped GaInAs and oxygendoped AlGaAs layers are presented. It is experimentally revealed that own defects and oxygen impurities intr...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2008
Hauptverfasser:	Yodgorova, D.M., Karimov, A.V., Giyasova, F.A., Saidova, R.A., Yakubov, A.A.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118592
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers / D.M. Yodgorova, A.V. Karimov, F.A. Giyasova, R.A. Saidova, A.A. Yakubov// Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 1. — С. 26-28. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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