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Effect of low magnetic field treatment on spectra of radiative recombination centers in indium phosphide structures

We present the results of investigations of the effect caused by low magnetic field treatment on InP single crystals impurity-defect composition. This effect was found when studying the radiative recombination (luminescence) spectra in the 0.6-2.5 µm range at 77 K. The sta...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2009
1. Verfasser:	Red’ko, R. R.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118606
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Effect of low magnetic field treatment on spectra of radiative recombination centers in indium phosphide structures / R. Red’ko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 1. — С. 83-85. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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