Зображення обкладинки

Properties of junction diodes under conditions of bisotropic strains

In consideration of influence of technological strains on characteristics of junction diodes located on surface of silicon wafers, biaxial character of such strains has taken into account. The cases of (001)- and (111)-oriented silicon wafers on whose surface the diodes ar...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2009
Автор:	Borblik, V.L.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118608
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Properties of junction diodes under conditions of bisotropic strains / V.L. Borblik // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 1. — С. 42-46. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Concerning the depletion width of a radial - junction and its influence on electrical properties of the diode
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2017)

Concerning the depletion width of a radial p-n junction and its influence on electrical properties of the diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2017)

Electrostatics of the nanowire radial -- diode
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2019)

Analytic theory for the current-voltage characteristic of a nanowire radial p-i-n diode
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2021)

Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown
за авторством: Aleinikov, A.B., та інші
Опубліковано: (2012)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: O. V. Tretyak, та інші
Опубліковано: (2010)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Electrostatics of the nanowire radial p-i-n diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2019)

Effect of mechanical stress on operation of diode temperature sensors
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2002)

About manifestation of the piezojunction effect in diode temperature sensors
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2003)

Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown
за авторством: A. B. Aleinikov, та інші
Опубліковано: (2012)

A new method of extraction of a p-n diode series resistance from I-V characteristics and its application to analysis of low-temperature conduction of the diode base
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2009)

Characteristics of diode temperature sensors which exhibit Mott conduction in low temperature region
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2007)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)

Self-consistent method for optimization of parameters of diode temperature sensors
за авторством: Kulish, N.R., та інші
Опубліковано: (1999)

Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2005)

New approach to the efficiency increase problem for multi-junction silicon photovoltaic converters with vertical diode cells
за авторством: Kopach, V.R., та інші
Опубліковано: (2008)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)

Volt-ampere characteristic and induced current in the external circuit of avalanche-generator diodes on the basis of the back displaced abrupt p–n-junctions
за авторством: K. A. Lukin, та інші
Опубліковано: (2015)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon - diodes at cryogenic temperatures
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2017)

Investigation of stress-strain state of welded structures of austenite steel under the conditions of radiation
за авторством: O. V. Makhnenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Optimization of accurate estimation of single diode solar photovoltaic parameters and extraction of maximum power point under different conditions
за авторством: Akbar, F., та інші
Опубліковано: (2021)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2017)

Evaluation of symbiotic properties of nitrogen-resistant strains Bradyrhizobium japonicum under the influence of mineral nitrogen
за авторством: N. A. Vorobei, та інші
Опубліковано: (2015)

Stress-strained state of rubber and rubber-cord vibroinsulators under condition of temperature and nonlinear deformation
за авторством: M. I. Klymenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Nonequilibrium plasmons and transport properties of a double-junction quantum wire
за авторством: Kim, J.U., та інші
Опубліковано: (2006)

Stress-strain state of rectangular shallow shells of variable thickness under various boundary conditions
за авторством: Ja. Grigorenko, та інші
Опубліковано: (2016)

High-frequency properties of the electron flow slowing down in a planar diode
за авторством: Pashchenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: O. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2014)

Evaluation of stress field reconstruction errors near the crack tip of body under plain strain conditions
за авторством: O. V. Lychak, та інші
Опубліковано: (2014)

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)

The Largest Value of Accumulated Strain under the Linear Two-step Strain Trajectories of Triangle Form
за авторством: V. M. Mykhalevych, та інші
Опубліковано: (2021)

On oscillations in the premodulation diode of the vircator
за авторством: Melezhik, O.G., та інші
Опубліковано: (2015)

Analysis of coal breaking mechanism under the conditions modelling stress-and-strain state of an accompanying-bed while in of mining work
за авторством: L. V. Sergienko, та інші
Опубліковано: (2015)

Stress-strain state of welded joints from aluminium alloys under the conditions simulating open space
за авторством: E. A. Asnis, та інші
Опубліковано: (2018)

Simulation of combined Schottky diode
за авторством: Ye. M. Kiselov
Опубліковано: (2013)

On a Theoretical Study of the Properties of Solutions of the Limit Problem for a Magnetically Noninsulated Diode
за авторством: Dulov, E.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)