Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
Current-voltage characteristics, spectral dependences of photovoltage and
 short-circuit current of the structures based on porous silicon at adsorption of iodine
 molecules are presented. It is revealed widening the spectral range of photosensitivity in
 the samples in short...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118731 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates / І.B. Olenych // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 4. — С. 382-385. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |