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Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates

Current-voltage characteristics, spectral dependences of photovoltage and short-circuit current of the structures based on porous silicon at adsorption of iodine molecules are presented. It is revealed widening the spectral range of photosensitivity in the samples in short...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2012
1. Verfasser:	Olenych, І.B.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118731
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates / І.B. Olenych // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 4. — С. 382-385. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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