Electron-electron drag in crystals with a multi-valley band. Magnetoresistivity and Hall-effect
Hall-effect and magnetoresistivity of electrons in multi-valley bands of Si and
 Ge is considered with due regard for direct intervalley drag. Search of contribution of
 this drag shows that this interactioin sufficiently changes both effects. Calculated here
 values substant...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118834 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Electron-electron drag in crystals with a multi-valley band.
 Magnetoresistivity and Hall-effect / I.I. Boiko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 4. — С. 349-356. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |